[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

依序形成一外延层及一半导体层在一基板上；

形成一沟槽在所述外延层及所述半导体层中；

顺应性地形成一第一介电层在所述沟槽中；

形成一第一导电层在所述第一介电层上；

移除所述第一介电层的一第一部分，以暴露所述第一导电层的一侧表面且使所述第一介电层的一第二部分覆盖所述半导体层的一侧表面；

移除所述第一介电层的所述第二部分，以暴露所述半导体层的所述侧表面，使得所述第一介电层具有一阶梯部分；

形成一第二介电层在经暴露的所述半导体层的所述侧表面、所述第一介电层的所述阶梯部分及所述第一导电层上；以及

形成一第二导电层于所述第二介电层上。

2.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，移除所述第一介电层的所述第二部分更包括：

形成一牺牲层于所述第一导电层及所述第一介电层上，以使所述牺牲层覆盖所述第一导电层的所述侧表面及所述第一介电层的一凹状顶表面；以及

通过所述牺牲层作为刻蚀遮罩，来移除所述第一介电层的所述第二部分，使得所述第一介电层具有所述阶梯部分。

3.如权利要求2所述的形成方法，其特征在于，移除所述第一介电层的所述第二部分更包括：

在移除所述第一介电层的所述第二部分之后，移除所述牺牲层，以暴露所述第一导电层的所述侧表面。

4.如权利要求2所述的形成方法，其特征在于，移除所述第一介电层的所述第二部分，使得所述第一介电层的所述阶梯部分的一顶表面低于所述牺牲层的一顶表面。

5.如权利要求2所述的形成方法，其特征在于，移除所述第一介电层的所述第二部分，使所述第一介电层的所述阶梯部分的一顶表面高于所述第一导电层的一顶表面。

6.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述第一介电层的所述第一部分位于所述半导体层的所述侧表面上，且移除所述第一介电层的所述第一部分以减薄所述第一介电层，且经减薄的所述第一介电层包括覆盖所述半导体层的所述侧表面的所述第二部分。

7.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，顺应性地形成所述第二介电层在所述半导体层、所述第一介电层的所述阶梯部分与所述第一导电层上。

8.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在移除所述第一介电层的所述第一部分之后，移除所述第一介电层的所述第二部分。

9.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，更包括：

形成一第一掺杂区及一第二掺杂区于所述半导体层中；

形成一层间介电层于所述第二导电层及所述第一掺杂区上；以及

形成一金属层于所述层间介电层上，且所述金属层电连接所述第二掺杂区。

10.一种半导体结构，其特征在于，包括：

一基板，具有一第一导电型态；

一外延层，具有所述第一导电型态且设置在所述基板上；

一半导体层，具有不同于所述第一导电型态的一第二导电型态，设置在所述外延层上，且所述外延层与所述半导体层包括一沟槽；

一第一介电层，设置在所述沟槽中，且具有与所述沟槽的一侧表面接触的一阶梯部分；

一第一导电层，设置在所述第一介电层上；

一第二介电层，设置在所述第一介电层的所述阶梯部分的一顶表面与一侧表面及所述第一导电层的一顶表面与一侧表面上；以及

一第二导电层，设置在所述第二介电层上。

11.如权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，所述第二导电层的一侧表面具有一阶梯部分，且所述第二导电层的所述阶梯部分对应于所述第一介电层的所述阶梯部分。

12.如权利要求11所述的半导体结构，其特征在于，所述第二导电层的所述阶梯部分在横向方向上向朝向所述外延层的方向突出。