[发明专利]半导体元件制造方法与电浆蚀刻系统

权利要求书

1.一种包含一电浆制程的一半导体元件制造方法，其特征在于，包含：

设定一电浆蚀刻机的一流动速率控制器以生成对应至该电浆蚀刻机的一个或更多个电浆束的一个或更多个第一流动速率的蚀刻气体；

监控由一电浆放电生成的一发射光，该发射光对应至该电浆蚀刻机的一个或更多个电浆束；及

基于该一个或更多个第一流动速率及该电浆放电的一对应发射光，校准该流动速率控制器。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该监控来自该电浆放电的该发射光还包含：

在该蚀刻气体的一特征波长下检测从该电浆放电的该发射光的一强度。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在该蚀刻气体的该特征波长下，检测从该电浆放电的该发射光的该强度包含：

使该发射光传输通过一光学光栅以散射该发射光的至少一部分以生成对应至该蚀刻气体的该特征波长的一第一角度的一光束；及

在该第一角度检测该光束的一强度，其中在该第一角度的该光束的该强度为在该蚀刻气体的该特征波长下来自该电浆放电的该发射光的该强度相对于一金属元素的一特征波长相关的一背景信号。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包含：

选择两个或更多个第一流动速率，毗邻的该些第一流动速率之间具有相等的流动速率差异；

拟合该两个或更多个第一流动速率与该电浆放电的一对应检测发射光之间的一线性曲线；及

基于该线性曲线校准该流动速率控制器的一整个范围。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，还包含：

基于该电浆放电的该发射光，决定一个或更多个第二流动速率，该一个或更多个第二流动速率对应至该电浆蚀刻机的该蚀刻气体的该一个或更多个第一流动速率；及

基于该一个或更多个第一流率及该第二流率校准该流动速率控制器。

6.一种半导体元件制造方法，其特征在于，包含：

将一个或更多个电浆束引导至一电浆蚀刻机的一蚀刻腔室内的一半导体基材的一第一位置；

设定该电浆蚀刻机的一流动速率控制器以生成一蚀刻气体的一个或更多个流动速率的以生成该一个或更多个电浆束；

监控在该半导体基材的该第一位置处通过一电浆放电生成的一发射光；

基于该一个或更多个流动速率及通过该电浆放电生成的一对应检测发射光，校准该流动速率控制器；及

使用一校准的电浆束在该半导体基材中蚀刻一通孔。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，该监控来自该电浆放电的该发射光还包含：

接收来自该电浆放电的该发射光；及

在该蚀刻气体的一特征波长下检测从该电浆放电的该发射光的一强度。

8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，该监控来自该电浆放电的该发射光还包含：

通过一光学光栅传输该发射光以散射该发射光的一第一部分以在对应至该蚀刻气体的一特征波长的一第一角度处生成一第一光束并生成该发射光的一第二部分以在对应至与镍的一特征波长相关的一背景光的一第二角度处生成一第二光束；及

在该第一角度处检测该第一光束并在该第二角度处检测该第二光束的一强度。