[发明专利]一种半导体结构的形成方法、结构以及存储器

说明书

本申请公开了一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底具有阵列区和外围区；在所述阵列区的表面上形成保护层，且在所述外围区的表面上形成第一多晶硅层；在阵列区开设接触孔，所述接触孔贯穿保护层并延伸至衬底内部；在所述接触孔限制的范围内形成第二多晶硅层，在所述第二多晶硅层上形成位线接触结构。本申请方法通过减少位线接触结构的高度，继而减少其面积，能够减少寄生电容。

技术领域

本申请涉及半导体集成电路的技术领域，尤其涉及一种半导体结构的形成方法、结构以及存储器。

背景技术

在半导体器件中，电介质材料形成在导电结构之间。随着半导体器件被高度集成，导电结构之间的距离逐渐减小，这增大了寄生电容的产生。而随着寄生电容的增大，半导体器件的性能也发生退化。

降低高度集成的半导体器件的寄生电容的一种可能方式将是选择具有较低介电常数的电介质材料。然而，由于其他原因，在制造高度集成的半导体器件中使用的电介质材料具有相对高的介电常数，因此在减小寄生电容方面存在限制。

发明内容

本申请的目的是提供一种半导体结构的形成方法、结构以及存储器，能够减少寄生电容。

本申请的第一方面提供了一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底具有阵列区和外围区；

在所述阵列区的表面上形成保护层，且在所述外围区的表面上形成第一多晶硅层；

在阵列区开设接触孔，所述接触孔贯穿保护层并延伸至衬底内部；

在形成的所述接触孔内形成第二多晶硅层，在所述第二多晶硅层上形成位线接触结构。

在本申请的一些可选实施例中，在所述阵列区的表面上形成保护层，且在所述外围区的表面上形成第一多晶硅层包括：

在所述阵列区表面上形成保护层，在保护层以及所述外围区表面上形成第一多晶硅层；

在所述阵列区和外围区的第一多晶硅层上覆盖一层第一氧化层；

在所述外围区的第一氧化层上形成第一光刻胶层，去除阵列区表面上的第一氧化层和第一多晶硅层；

去除位于外围区第一多晶硅层上的第一氧化层和第一光刻胶层。

在本申请的一些可选实施例中，在阵列区开设接触孔，所述接触孔贯穿保护层并延伸至衬底内部包括：

在所述保护层和第一多晶硅层上形成覆盖第二氧化层，在所述阵列区的第二氧化层上覆盖一层定义接触孔位置的掩模层；

刻蚀所述第二氧化层和保护层以形成延伸至衬底内的接触孔；

所述接触孔形成之后，去除位于第二氧化层上的掩模层。

在本申请的一些可选实施例中，在形成的所述接触孔内形成第二多晶硅层包括：

于所述接触孔内填充第二多晶硅层并且延伸至覆盖于所述第二氧化层的顶面；

去除位于第二氧化层上的第二多晶硅层，保留位于接触孔内的第二多晶硅层。

在本申请的一些可选实施例中，在所述第二多晶硅层上形成位线接触结构之前还包括：

去除所述保护层以及所述第一多晶硅层表面上的第二氧化层。

在本申请的一些可选实施例中，在所述第二多晶硅层上形成位线接触结构包括：

在所述保护层和第二多晶硅层上覆盖一层导电层，使导电层覆盖于保护层和第二多晶硅层上；

在所述导电层上覆盖一层绝缘层；