[发明专利]一种半导体结构的形成方法、结构以及存储器

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底具有阵列区和外围区；

在所述阵列区的表面上形成保护层，且在所述外围区的表面上形成第一多晶硅层；

在阵列区开设接触孔，所述接触孔贯穿保护层并延伸至衬底内部；

在形成的所述接触孔内形成第二多晶硅层，在所述第二多晶硅层上形成位线接触结构。

2.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其中，在所述阵列区的表面上形成保护层，且在所述外围区的表面上形成第一多晶硅层包括：

在所述阵列区表面上形成保护层，在保护层以及所述外围区表面上形成第一多晶硅层；

在所述阵列区和外围区的第一多晶硅层上覆盖一层第一氧化层；

在所述外围区的第一氧化层上形成第一光刻胶层，去除阵列区表面上的第一氧化层和第一多晶硅层；

去除位于外围区第一多晶硅层上的第一氧化层和第一光刻胶层。

3.根据权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其中，在阵列区开设接触孔，所述接触孔贯穿保护层并延伸至衬底内部包括：

在所述保护层和第一多晶硅层上形成覆盖第二氧化层，在所述阵列区的第二氧化层上覆盖一层定义接触孔位置的掩模层；

刻蚀所述第二氧化层和保护层以形成延伸至衬底内的接触孔；

所述接触孔形成之后，去除位于第二氧化层上的掩模层。

4.根据权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其中，在形成的所述接触孔内形成第二多晶硅层包括：

于所述接触孔内填充第二多晶硅层并且延伸至覆盖于所述第二氧化层的顶面；

去除位于第二氧化层上的第二多晶硅层，保留位于接触孔内的第二多晶硅层。

5.根据权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其中，在所述第二多晶硅层上形成位线接触结构之前还包括：

去除所述保护层以及所述第一多晶硅层表面上的第二氧化层。

6.根据权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其中，在所述第二多晶硅层上形成位线接触结构包括：

在所述保护层和第二多晶硅层上覆盖一层导电层，使导电层覆盖于保护层和第二多晶硅层上；

在所述导电层上覆盖一层绝缘层；

刻蚀所述绝缘层和导电层以及位于接触孔侧壁的第二多晶硅层，以形成与接触孔侧壁留有间隙且等宽的位线接触结构。

7.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其中，在所述阵列区的表面上形成保护层，且在所述外围区的表面上形成第一多晶硅层包括：

在所述阵列区的表面上堆叠形成保护层和第一多晶硅层，在所述外围区的表面上形成第一多晶硅层；

在所述阵列区和外围区上方的第一多晶硅层上覆盖一层第一氧化层，在外围区的第一氧化层表面形成有第一光刻胶层；

去除未被所述第一光刻胶层覆盖的区域上的第一氧化层；

采用第一工艺去除位于外围区上的第一光刻胶层；

采用第二工艺去除保护层上的第一多晶硅层。

8.根据权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其中，采用第一工艺去除位于外围区上的第一光刻胶层包括，

用第一清洗液去除位于外围区上的第一光刻胶层；

去除采用第一清洗液清洗时形成于阵列区上第一多晶硅层表面的含氧硅化物层至暴露第一多晶硅层。

9.根据权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其中，去除采用第一清洗液清洗时形成于阵列区上第一多晶硅层表面的含氧硅化物层至暴露第一多晶硅层包括，

使用臭氧氧化含氧硅化物层至形成二氧化硅，通过第二清洗液去除二氧化硅。