[发明专利]芯片背面连接的封装基板及其制作方法

说明书

本发明公开了芯片背面连接的封装基板的制作方法，包括：准备具有器件放置口框的聚合物支撑框架；在器件放置口框的底部贴装芯片，形成封装层；施加补强板；形成第一绝缘层和在其表面的第一铜箔，在第一绝缘层表面内形成第一线路层与芯片的第一端子面连通；移除补强板；在部分封装层形成凹槽；通过等离子蚀刻的方式由凹槽减薄封装层形成开窗露出芯片第二端子面或芯片背面；在第一绝缘层内形成导通孔，在第一铜箔表面形成第二线路层，在聚合物支撑框架的上表面以开窗的底部和侧壁形成第三线路层，第一线路层和第二线路层通过导通孔连通，芯片的第二端子面或背面与第三线路层连通。还公开了芯片背面连接的封装基板。

技术领域

本发明涉及电子器件封装结构，具体涉及芯片背面连接的封装基板及其制作方法。

背景技术

随着电子技术的不断发展，电子产品趋向于高功能化、高密度集成化。由于芯片等元器件的小型化已经面临瓶颈，很难再进一步有效缩小尺寸，因此如何将芯片等元器件进行更加合理的封装，实现高功能化、高密度集成化，成为当前半导体封装领域中一个非常重要的课题。经过不断地发展、演变，面板级嵌埋封装技术得到越来越多的应用，在半导体封装领域扮演越来越重要的角色。随着面板级嵌埋封装技术的不断开发改进，目前面板级嵌埋封装已经形成具有一定规模的产业化，但仍在存在一定的局限性，限制了面板级嵌埋封装技术的广泛应用。

现有面板级嵌埋封装方案已经可以实现芯片等元器件的嵌埋封装，如中国专利CN109686669B公开的板级嵌埋封装方案，如附图1所示，将元器件11嵌埋于具有空腔的支撑框架10内。但是，具有空腔的支撑框架厚度在200μm以上，通常应用于150μm厚度以上的芯片的嵌埋封装，对于更薄框架、更薄芯片厚度的嵌埋封装，缺乏有效的解决方案，且仅能够满足单面I/O的芯片/元器件嵌埋封装。

现有技术中，对于芯片两面线路引出的嵌埋封装结构，芯片背面封装材料的开窗是通过镭射的方式进行，由于镭射过程中激光束能量聚集，同时产生高温，对芯片的破坏较大。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的在于提出一种芯片背面连接的封装基板及其制作方法。

基于上述目的，本发明第一方面提供一种芯片背面连接的封装基板的制作方法，包括如下步骤：

(a)准备聚合物支撑框架，所述聚合物支撑框架包括沿高度方向贯穿所述聚合物支撑框架的器件放置口框；

(b)在所述器件放置口框的底部贴装芯片，并在所述芯片与所述器件放置口框的间隙内及所述聚合物支撑框架的上表面上形成封装层；

(c)在所述封装层的表面上施加补强板；

(d)在所述聚合物支撑框架的下表面上形成第一绝缘层，在所述第一绝缘层的下表面上形成第一铜箔，在所述第一绝缘层上表面内形成第一线路层，所述第一线路层与所述芯片的第一端子面连通；

(e)移除所述补强板；

(f)去除所述芯片的第二端子面或背面需要开窗的区域内的部分封装层形成凹槽，且所述凹槽的底部至所述芯片的第二端子面或背面的距离，与所述聚合物支撑框架的上表面上的封装层的厚度相近；

(g)通过等离子蚀刻减薄所述聚合物支撑框架的上表面的封装层暴露所述聚合物支撑框架内的第一导通铜柱层，并减薄所述凹槽底部和侧壁的封装层形成暴露所述芯片的第二端子面或背面的开窗；

(h)在所述第一绝缘层内形成导通孔，在所述第一铜箔的表面上形成第二线路层，在所述聚合物支撑框架的上表面上及所述开窗的底部和侧壁上形成第三线路层，所述第一线路层和所述第二线路层通过所述导通孔连通，所述芯片的第二端子面或背面与所述第三线路层连通。

在一些实施方案中，所述凹槽侧壁的封装层减薄的厚度，与所述凹槽的底部至所述芯片的第二端子面或背面的距离相同。