[发明专利]芯片背面连接的封装基板及其制作方法

权利要求书

1.一种芯片背面连接的封装基板的制作方法，包括如下步骤：

(a)准备聚合物支撑框架，所述聚合物支撑框架包括沿高度方向贯穿所述聚合物支撑框架的器件放置口框；

(b)在所述器件放置口框的底部贴装芯片，并在所述芯片与所述器件放置口框的间隙内及所述聚合物支撑框架的上表面上形成封装层；

(c)在所述封装层的表面上施加补强板；

(d)在所述聚合物支撑框架的下表面上形成第一绝缘层，在所述第一绝缘层的下表面上形成第一铜箔，其中所述第一绝缘层包括位于所述第一绝缘层上表面内的第一线路层，所述第一线路层与所述芯片的第一端子面连通；

(e)移除所述补强板；

(f)去除所述芯片的第二端子面或背面需要开窗的区域内的部分封装层形成凹槽，且所述凹槽的底部至所述芯片的第二端子面或背面的距离，与所述聚合物支撑框架的上表面上的封装层的厚度相同；

(g)通过等离子蚀刻减薄所述聚合物支撑框架的上表面的封装层暴露所述聚合物支撑框架内的第一导通铜柱层，并减薄所述凹槽底部和侧壁的封装层形成暴露所述芯片的第二端子面或背面的开窗；

(h)在所述第一绝缘层内形成导通孔，在所述第一铜箔的表面上形成第二线路层，在所述聚合物支撑框架的上表面上及所述开窗的底部和侧壁上形成第三线路层，所述第一线路层和所述第二线路层通过所述导通孔连通，所述芯片的第二端子面或背面与所述第三线路层连通。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其中所述凹槽侧壁的封装层减薄的厚度，与所述凹槽的底部至所述芯片的第二端子面或背面的距离相同。

3.根据权利要求1所述的制作方法，其中所述补强板包括至少一面覆有双层铜箔的覆铜板，其中所述覆铜板包括核心层、在所述核心层表面上的第一铜层和在所述第一铜层上的第二铜层，其中所述第一铜层和所述第二铜层通过物理压合附着在一起。

4.根据权利要求3所述的制作方法，其中步骤(e)包括通过将所述第一铜层和所述第二铜层物理分离，以移除所述补强板。

5.根据权利要求4所述的制作方法，其中步骤(f)包括首先蚀刻部分第二铜层暴露所述芯片的第二端子面或背面需要开窗的区域，然后去除所述区域内暴露的部分封装层形成凹槽。

6.根据权利要求5所述的制作方法，其中步骤(g)包括首先蚀刻残留的第二铜层，然后采用等离子蚀刻减薄所述聚合物支撑框架的上表面的封装层暴露所述聚合物支撑框架内的第一导通铜柱层的端部，并减薄所述凹槽底部和侧壁的封装层形成暴露所述芯片的第二端子面或背面的开窗。

7.根据权利要求4所述的制作方法，其中步骤(c)包括首先在所述封装层的表面上形成临时绝缘层，然后在所述临时绝缘层的表面上施加补强板。

8.根据权利要求7所述的制作方法，其中步骤(f)包括首先蚀刻部分第二铜层暴露所述芯片的第二端子面或背面需要开窗的区域，然后去除所述区域内暴露的临时绝缘层和部分封装层形成凹槽。

9.根据权利要求8所述的制作方法，其中步骤(g)包括首先蚀刻残留的第二铜层并移除临时绝缘层，然后采用等离子蚀刻减薄所述聚合物支撑框架的上表面的封装层暴露所述聚合物支撑框架内的第一导通铜柱层的端部，并减薄所述凹槽底部和侧壁的封装层形成暴露所述芯片的第二端子面或背面的开窗。

10.根据权利要求1所述的制作方法，其中步骤(b)包括通过在所述聚合物支撑框架的下表面上施加粘合层，然后将所述芯片的第一端子面附着在所述器件放置口框内暴露的粘合层上，以在所述器件放置口框的底部贴装芯片。

11.根据权利要求10所述的制作方法，其中所述粘合层包括单面胶带。