[发明专利]包含块之间的不同介电结构的存储器装置

说明书

一些实施例包含设备和形成所述设备的方法。所述设备中的一个包含：导电材料层级，其与介电材料层级交错；存储器单元串，其包含延伸穿过所述导电材料层级和所述介电材料层级的相应柱；第一介电结构，其形成于穿过所述导电材料层级和所述介电材料层级的第一狭缝中；第二介电结构，其形成于穿过所述导电材料层级和所述介电材料层级的第二狭缝中；所述第一介电结构和所述第二介电结构将所述导电材料层级、所述介电材料层级和所述柱分离成单独部分，且所述第一介电结构和所述第二介电结构包含不同宽度。

技术领域

本文中所描述的实施例涉及包含存储器单元的块之间的介电结构分离的存储器装 置。

背景技术

存储器装置广泛地用于计算机和许多其它电子项目中。存储器装置通常具有用于存 储信息(例如，数据)的众多存储器单元和将信息(呈电信号形式)携载进出存储器单元的数 据线。在存储器装置的制造期间，存储器单元常常划分成物理块。在形成存储器装置的 一些常规工艺中，存储器装置中的块易受块弯曲误差影响，其中块的结构可弯曲。中等的块弯曲误差可导致这种导电元件之间的不良电连接。严重的块弯曲误差可引起存储器装置中的一些电连接中的故障。

发明内容

附图说明

图1展示根据本文中所描述的一些实施例的呈存储器装置形式的设备的框图。

图2展示根据本文中所描述的一些实施例的包含具有块(存储器单元的块)和块中的 每一个中的子块的存储器阵列的存储器装置的一部分的大体示意图。

图3展示根据本文中所描述的一些实施例的包含图2的存储器装置的块中的两个邻 近块的详细示意图。

图4展示根据本文中所描述的一些实施例的包含存储器阵列、楼梯区和存储器装置 的块之间的介电结构的图3的存储器装置的一部分的结构的俯视图。

图5展示根据本文中所描述的一些实施例的包含延伸穿过且分离块的控制栅极的介 电结构的图4的存储器装置的一部分的结构的侧视图(例如，横截面)。

图6展示根据本文中所描述的一些实施例的包含邻近块、块中的柱和介电结构的细 节的图4和图5的存储器装置的一部分的结构的俯视图。

图7展示根据本文中所描述的一些实施例的包含存储器装置的块中的一个的楼梯结 构的一部分的图6的存储器装置的一部分的侧视图。

图8展示根据本文中所描述的一些实施例的包含块的控制栅极和介电材料的边缘和 柱的更多细节的图4的存储器装置的一部分的结构的侧视图(例如，横截面)。

图9展示根据本文中所描述的一些实施例的图8的存储器装置的控制栅极和柱的一 部分的横截面(例如，俯视图)。

图10A和图10B至图22A和图22B展示根据本文中所描述的一些实施例的在形成 存储器装置的工艺期间元件的不同视图。

具体实施方式

本文中所描述的技术涉及具有存储器装置的块之间的不同介电结构的存储器装置。 介电结构可在块的形成期间在不同工艺处形成。这种形成可使块的结构稳定以减轻或减 少块弯曲误差。如下文更详细地描述，不同介电结构可增大存储器装置的存储器单元密度。下文参考图1至图22B进一步论述本文中所描述的技术的改进和益处。

图1展示根据本文中描述的一些实施例的呈存储器装置100形式的设备的框图。存储器装置100可包含存储器阵列(或多个存储器阵列)101，所述存储器阵列101含有布 置成例如块BLK0到BLKi的块(存储器单元的块)的存储器单元102。块BLK0到BLKi 中的每一个可包含其自身的子块，例如子块SB0到SBj。子块为块的一部分。在存储器 装置100的物理结构中，存储器单元102可竖直地(例如，堆叠在彼此之上)布置在存储 器装置100的衬底(例如，半导体衬底)之上。