[发明专利]包含块之间的不同介电结构的存储器装置

权利要求书

1.一种设备，其包括：

导电材料层级，其与介电材料层级交错；

存储器单元串，其包含延伸穿过所述导电材料层级以及所述介电材料层级的相应柱；

第一介电结构，其形成于穿过所述导电材料层级以及所述介电材料层级的第一狭缝中；

第二介电结构，其形成于穿过所述导电材料层级以及所述介电材料层级的第二狭缝中；且

所述第一介电结构以及所述第二介电结构将所述导电材料层级、所述介电材料层级以及所述柱分离成第一部分、第二部分以及第三部分，其中，

所述第一介电结构位于所述第一部分与所述第二部分之间且包含第一宽度，且所述第二介电结构位于所述第二部分与所述第三部分之间且包含第二宽度，且所述第一宽度小于所述第二宽度。

2.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一介电结构包含介电材料，所述介电材料接触所述第一部分中的所述介电材料层级以及所述第二部分中的所述介电材料层级。

3.根据权利要求2所述的设备，其中所述第一介电结构的所述介电材料以及所述介电材料层级包含相同材料。

4.根据权利要求2所述的设备，其中所述第一介电结构的所述介电材料包含二氧化硅，且所述介电材料层级包含二氧化硅。

5.根据权利要求4所述的设备，其中所述第二介电结构包含：

第一介电材料，其接触所述第二部分中的所述导电材料层级；

第二介电材料，其接触所述第三部分中的所述导电材料层级；以及

第三材料，其位于所述第一介电材料与所述第二介电材料之间。

6.根据权利要求5所述的设备，其中所述第二介电结构的所述第一介电材料以及所述第二介电材料包含相同材料。

7.根据权利要求6所述的设备，其中所述第二介电结构的所述第三材料包含多晶硅。

8.根据权利要求1所述的设备，其中所述柱布置成平行于所述第一介电结构的长度的行，且其中：

所述第一部分包含第一数目个所述行的柱；

所述第一部分包含第二数目个所述行的柱；

所述第一部分包含第三数目个所述行的柱；且

所述行的柱的所述第一数目、所述行的柱的所述第二数目以及所述行的柱的所述第三数目相等。

9.根据权利要求8所述的设备，其中所述行的柱的所述第一数目为16。

10.根据权利要求1所述的设备，其进一步包括：

单个楼梯结构，其由所述第一部分中的所述导电材料层级形成；

单个楼梯结构，其由所述第二部分中的所述导电材料层级形成；以及

单个楼梯结构，其由所述第三部分中的所述导电材料层级形成。