[发明专利]用于自动识别半导体装置中基于缺陷的测试覆盖间隙的系统及方法在审
| 申请号: | 202180081064.7 | 申请日: | 2021-12-16 |
| 公开(公告)号: | CN116583936A | 公开(公告)日: | 2023-08-11 |
| 发明(设计)人: | D·W·普利斯;R·J·拉瑟;C·伦诺克斯;K·榭曼;林璿正;T·格鲁斯;M·冯登霍夫;O·唐泽拉;N·纳拉辛汗;B·萨维尔;J·拉赫;J·鲁滨逊 | 申请(专利权)人: | 科磊股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
| 代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 刘丽楠 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 自动识别 半导体 装置 基于 缺陷 测试 覆盖 间隙 系统 方法 | ||
自动识别半导体装置中基于缺陷的测试覆盖间隙包含:基于由一或多个半导体制造子系统获取的具有多个半导体裸片的一或多个半导体装置的表征测量来确定所述一或多个半导体装置上的多个明显致命缺陷;基于由一或多个测试工具子系统获取的测试测量来确定通过至少一个测试的至少一个半导体裸片;使所述表征测量与所述测试测量关联以确定通过所述至少一个测试的所述至少一个半导体裸片上的至少一个明显致命缺陷;及基于通过所述至少一个测试的所述至少一个半导体裸片上的所述至少一个明显致命缺陷来确定所述一或多个半导体装置上针对基于缺陷的测试覆盖的一或多个间隙区域。
本申请案主张2020年12月18日申请的第202041055201号印度临时申请案的优先权及2021年2月3日申请的第63/144,997号美国临时申请案的优先权,两个申请案的全部内容以引用的方式并入本文中。
技术领域
本公开大体上涉及半导体装置,且更特定来说,本公开涉及用于自动识别半导体装置中基于缺陷的测试覆盖间隙的系统及方法。
背景技术
半导体装置的制造通常可需要数百或数千个处理步骤来形成功能装置。在这些处理步骤的过程中,各种检验及/或度量测量可经执行以识别装置上的缺陷及/或监测装置上的各种参数。电性测试也可经执行以验证或评估装置的功能性。然而,尽管一些经检测缺陷及度量误差可如此明显以清楚地指示装置故障,但较小变动可引起装置在暴露于其工作环境之后的过早可靠性故障。半导体装置的规避风险的用户(例如汽车、军事、航空及医疗应用)开始寻求十亿分率(PPB)范围内的故障率,超出当前百万分率(PPM)水平。辨识及控制可靠性缺陷是满足这些行业要求的关键,因为汽车、军事、航空及医疗应用中对半导体装置的需求不断增加。因此,可期望提供用于可靠性缺陷检测的系统及方法。
发明内容
根据本公开的一或多个实施例,公开一种系统。在一个说明性实施例中,所述系统包含通信地耦合到一或多个半导体制造子系统及一或多个测试工具子系统的控制器。在另一说明性实施例中,所述控制器包含经配置以执行程序指令的一或多个处理器,所述程序指令使所述一或多个处理器基于由所述一或多个半导体制造子系统获取的一或多个半导体装置的表征测量经由表征子系统确定所述一或多个半导体装置上的多个明显致命缺陷。在另一说明性实施例中,所述一或多个半导体装置包含多个半导体裸片。在另一说明性实施例中,所述控制器包含经配置以执行程序指令的一或多个处理器,所述程序指令使所述一或多个处理器基于由所述一或多个测试工具子系统获取的测试测量经由测试子系统确定通过多个测试中的至少一个测试的所述多个半导体裸片中的至少一个半导体裸片。在另一说明性实施例中,所述控制器包含经配置以执行程序指令的一或多个处理器,所述程序指令使所述一或多个处理器经由关联子系统使所述表征测量与所述测试测量关联以确定通过所述多个测试中的所述至少一个测试的所述多个半导体裸片中的所述至少一个半导体裸片上的所述多个明显致命缺陷中的至少一个明显致命缺陷。在另一说明性实施例中,所述控制器包含经配置以执行程序指令的一或多个处理器,所述程序指令使所述一或多个处理器基于通过所述多个测试中的所述至少一个测试的所述多个半导体裸片中的所述至少一个半导体裸片上的所述至少一个明显致命缺陷经由定位子系统确定所述一或多个半导体装置上针对基于缺陷的测试覆盖的一或多个间隙区域。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





