[发明专利]高频模块

说明书

高频模块(1)具备：第一基材(71)，其形成有电气电路；第二基材(72)，其形成有功率放大电路(11)；匹配部件(41D)，其配置于第一基材(71)及第二基材(72)的外部，形成有与功率放大电路(11)连接的第一匹配元件；以及模块基板(90)，其具有配置有第一基材(71)、第二基材(72)以及匹配部件(41D)的主面(90a)，其中，第一基材(71)经由电极(717)来与主面(90a)接合，在截面视图中，第二基材(72)配置于模块基板(90)与第一基材(71)之间，第二基材(72)经由电极(724)来与主面(90a)接合，在俯视视图中，第一基材(71)的至少一部分与第二基材(72)的至少一部分重叠。

技术领域

本发明涉及一种高频模块。

背景技术

在便携式电话等移动通信设备中，特别是，随着多频段化的进展，构成高频前端电路的电路元件的配置结构变得复杂。

在专利文献1的高频模块中，为了调整功率放大器的输出阻抗，使用了具有至少1个匹配元件的可变匹配电路。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2020-102693号公报

发明内容

发明要解决的问题

然而，在上述以往技术中，如果为了实现高频模块的小型化而将匹配元件和功率放大器集成于1个部件，则有时匹配元件的电气特性(例如Q值等)劣化，高频模块的电气特性(例如噪声系数(NF)等)劣化。并且，还有时功率放大器的散热性恶化。

因此，本发明提供一种能够在抑制匹配元件的电气特性的劣化和功率放大电路的散热性的恶化的同时实现小型化的高频模块。

用于解决问题的方案

本发明的一个方式所涉及的高频模块具备：第一基材，该第一基材的至少一部分由第一半导体材料构成，在该第一基材形成有电气电路；第二基材，该第二基材的至少一部分由热导率比第一半导体材料的热导率低的第二半导体材料构成，在该第二基材形成有功率放大电路；第一匹配部件，其配置于第一基材及第二基材的外部，形成有与功率放大电路连接的第一匹配元件；以及模块基板，其具有配置有第一基材、第二基材以及第一匹配部件的主面，其中，第一匹配元件包括电感器和电容器中的至少一方，第一基材经由第一电极来与主面接合，在截面视图中，第二基材配置于模块基板与第一基材之间，第二基材经由第二电极来与主面接合，在俯视视图中，第一基材的至少一部分与第二基材的至少一部分重叠。

本发明的一个方式所涉及的高频模块具备：第一基材，该第一基材的至少一部分由硅或氮化镓构成，在该第一基材形成有电气电路；第二基材，该第二基材的至少一部分由砷化镓或硅锗构成，在该第二基材形成有功率放大电路；第一匹配部件，其配置于第一基材及第二基材的外部，形成有与功率放大电路连接的电感器和电容器中的至少一方；以及模块基板，其具有配置有第一基材、第二基材以及第一匹配部件的主面，其中，第一基材经由第一电极来与主面接合，在截面视图中，第二基材配置于模块基板与第一基材之间，第二基材经由第二电极来与主面接合，在俯视视图中，第一基材的至少一部分与第二基材的至少一部分重叠。

发明的效果

根据本发明的一个方式所涉及的高频模块，能够在抑制匹配元件的电气特性的劣化和功率放大电路的散热性的恶化的同时实现小型化。

附图说明

图1是实施方式1所涉及的高频模块和通信装置的电路结构图。

图2是实施方式1所涉及的高频模块的俯视图。

图3是实施方式1所涉及的高频模块的截面图。

图4是实施方式1所涉及的高频模块的局部截面图。

图5是实施方式1所涉及的高频模块的局部截面图。