[发明专利]高频模块在审
| 申请号: | 202180078907.8 | 申请日: | 2021-10-12 |
| 公开(公告)号: | CN116490976A | 公开(公告)日: | 2023-07-25 |
| 发明(设计)人: | 竹松佑二 | 申请(专利权)人: | 株式会社村田制作所 |
| 主分类号: | H01L25/16 | 分类号: | H01L25/16;H01L23/373;H01L23/64 |
| 代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;严美善 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 高频 模块 | ||
1.一种高频模块,具备:
第一基材,所述第一基材的至少一部分由第一半导体材料构成,在所述第一基材形成有电气电路;
第二基材,所述第二基材的至少一部分由热导率比所述第一半导体材料的热导率低的第二半导体材料构成,在第二基材形成有功率放大电路;
第一匹配部件,其配置于所述第一基材及所述第二基材的外部,形成有与所述功率放大电路连接的第一匹配元件;以及
模块基板,其具有配置有所述第一基材、所述第二基材以及所述第一匹配部件的主面,
其中,所述第一匹配元件包括电感器和电容器中的至少一方,
所述第一基材经由第一电极来与所述主面接合,
在截面视图中,所述第二基材配置于所述模块基板与所述第一基材之间,所述第二基材经由第二电极来与所述主面接合,
在俯视视图中,所述第一基材的至少一部分与所述第二基材的至少一部分重叠。
2.根据权利要求1所述的高频模块,其中,
所述第一匹配部件配置在所述第一基材上。
3.根据权利要求2所述的高频模块,其中,
所述第一基材具有第一面和第二面,所述第二面位于与所述第一面相反的一侧,且与所述模块基板的所述主面相对,
所述第一匹配部件配置在所述第一面上。
4.根据权利要求3所述的高频模块,其中,
在俯视视图中,所述功率放大电路的至少一部分与所述第一匹配部件的至少一部分重叠。
5.根据权利要求3或4所述的高频模块,其中,
所述电气电路包括与所述功率放大电路的输出端连接的开关电路,
所述第一匹配元件与所述功率放大电路的输出端连接,
在俯视视图中,所述开关电路的至少一部分与所述第一匹配部件的至少一部分重叠。
6.根据权利要求2所述的高频模块,其中,
所述第一基材具有第一面和第二面,所述第二面位于与所述第一面相反的一侧,且与所述第二基材相对,
所述第一匹配部件配置在所述第二面上。
7.根据权利要求1所述的高频模块,其中,
所述第一匹配部件配置在所述模块基板的所述主面上。
8.根据权利要求6或7所述的高频模块,其中,
所述高频模块具备开关部件,所述开关部件配置在所述模块基板的所述主面上,在所述开关部件形成有与所述功率放大电路的输出端连接的开关电路,
所述第一匹配元件与所述功率放大电路的输出端连接,
在俯视视图中,所述第一匹配部件配置于所述功率放大电路与所述开关部件之间。
9.根据权利要求1所述的高频模块,其中,
所述功率放大电路包括第一放大器和第二放大器,
所述第二放大器的输出端与所述第一放大器的输入端连接,
所述第一匹配元件与所述第一放大器的输出端连接,
所述高频模块具备第二匹配部件,所述第二匹配部件配置于所述第一基材及所述第二基材的外部,在所述第二匹配部件形成有与所述第二放大器的输出端连接的第二匹配元件,
所述第二匹配元件包括电感器和电容器中的至少一方。
10.根据权利要求9所述的高频模块,其中,
所述第二匹配部件配置在所述第一基材上。
11.根据权利要求10所述的高频模块,其中,
所述第一基材具有第一面和第二面,所述第二面位于与所述第一面相反的一侧,且与所述第二基材相对,
所述第二匹配部件配置在所述第一面上。
12.根据权利要求11所述的高频模块,其中,
在俯视视图中,所述功率放大电路的至少一部分与所述第二匹配部件的至少一部分重叠。
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