[发明专利]半导体模块

说明书

本发明提供一种半导体模块，所述半导体模块具备：多个第一半导体芯片；树脂壳体，其被设置为围住收容多个第一半导体芯片的收容空间；第一栅极端子，其与多个第一半导体芯片的栅极焊盘连接；多个第一主栅极布线，其设置于收容空间，并且分别与多个第一半导体芯片的栅极焊盘连接；以及第一调整栅极布线，其配置在多个第一主栅极布线中的至少一个第一主栅极布线与第一栅极端子之间，对多个第一半导体芯片与第一栅极端子之间的布线长度的差异进行调整。

技术领域

本发明涉及一种半导体模块。

背景技术

以往，已知有搭载了IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor：绝缘栅双极型晶体管)和/或SiCMOSFET等半导体芯片的半导体模块。在这样的半导体模块中，半导体芯片与栅极端子经由布线而连接(例如，参照专利文献1-5)。

专利文献1：日本特开2000-82773号公报

专利文献2：日本特开2000-323647号公报

专利文献3：日本特开2002-141463号公报

专利文献4：日本特开2003-60157号公报

专利文献5：日本特开2013-229383号公报

发明内容

技术问题

在半导体模块中，优选抑制开关时的半导体芯片的电流集中。

技术方案

为了解决上述问题，在本发明的一个方式中，提供一种半导体模块。半导体模块可以具备多个第一半导体芯片。半导体模块可以具备树脂壳体。树脂壳体可以被设置为围住收容多个第一半导体芯片的收容空间。半导体模块可以具备多个第一主栅极布线。多个第一主栅极布线可以设置于收容空间。多个第一主栅极布线可以分别与多个第一半导体芯片的栅极焊盘连接。半导体模块可以具备第一调整栅极布线。第一调整栅极布线可以配置在多个第一主栅极布线中的至少一个第一主栅极布线与第一栅极端子之间，对多个第一半导体芯片与第一栅极端子之间的布线长度的差异进行调整。

第一调整栅极布线的至少一部分可以埋入树脂壳体。

半导体模块可以具备一个以上的绝缘基板，每个绝缘基板分别配置有多个第一半导体芯片之中的一个以上的第一半导体芯片。多个第一主栅极布线可以是设置于绝缘基板的布线图案。

半导体模块可以具备与多个第一半导体芯片的主电极连接的第一感测发射极端子。半导体模块可以具备设置于收容空间并且分别与多个第一半导体芯片的主电极连接的多个第一主感测布线。半导体模块可以具备配置在多个第一主感测布线中的至少一个第一主感测布线与第一感测发射极端子之间，对多个第一半导体芯片与第一感测发射极端子之间的布线长度的差异进行调整的第一调整感测布线。

第一调整感测布线的至少一部分可以埋入树脂壳体。多个第一主感测布线可以是设置于绝缘基板的布线图案。

半导体模块可以具备多个第二半导体芯片。半导体模块可以具备与多个第二半导体芯片的栅极焊盘连接的第二栅极端子。半导体模块可以具备设置于收容空间并且分别与多个第二半导体芯片的栅极焊盘连接的多个第二主栅极布线。半导体模块可以具备配置在多个第二主栅极布线中的至少一个第二主栅极布线与第二栅极端子之间，对多个第二半导体芯片与第二栅极端子之间的布线长度的差异进行调整的第二调整栅极布线。

半导体模块可以具备基底板，该基底板具有第一端边、以及与第一端边对置的第二端边。第一调整栅极布线可以设置在基底板的靠第一端边侧的位置。第二调整栅极布线可以设置在基底板的靠第二端边侧的位置。