[发明专利]半导体模块在审

专利信息
申请号: 202180037162.0 申请日: 2021-11-29
公开(公告)号: CN115917741A 公开(公告)日: 2023-04-04
发明(设计)人: 中沢将刚 申请(专利权)人: 富士电机株式会社
主分类号: H01L25/07 分类号: H01L25/07
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 周爽;金玉兰
地址: 日本神奈*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 模块
【权利要求书】:

1.一种半导体模块,其特征在于,具备:

多个第一半导体芯片;

树脂壳体,其被设置为围住收容所述多个第一半导体芯片的收容空间;

第一栅极端子,其与所述多个第一半导体芯片的栅极焊盘连接;

多个第一主栅极布线,其设置于所述收容空间,并且分别与所述多个第一半导体芯片的所述栅极焊盘连接;以及

第一调整栅极布线,其配置在所述多个第一主栅极布线中的至少一个第一主栅极布线与所述第一栅极端子之间,对所述多个第一半导体芯片与所述第一栅极端子之间的布线长度的差异进行调整。

2.根据权利要求1所述的半导体模块,其特征在于,

所述第一调整栅极布线的至少一部分埋入所述树脂壳体。

3.根据权利要求1或2所述的半导体模块,其特征在于,

所述半导体模块还具备一个以上的绝缘基板,每个绝缘基板分别配置有所述多个第一半导体芯片之中的一个以上的第一半导体芯片,

所述多个第一主栅极布线是设置于所述绝缘基板的布线图案。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体模块,其特征在于,所述半导体模块还具备:

第一感测发射极端子,其与所述多个第一半导体芯片的主电极连接;

多个第一主感测布线,其设置于所述收容空间,并且分别与所述多个第一半导体芯片的所述主电极连接;以及

第一调整感测布线,其配置在所述多个第一主感测布线中的至少一个第一主感测布线与所述第一感测发射极端子之间,对所述多个第一半导体芯片与所述第一感测发射极端子之间的布线长度的差异进行调整。

5.根据权利要求4所述的半导体模块,其特征在于,

所述第一调整感测布线的至少一部分埋入所述树脂壳体。

6.根据权利要求4或5所述的半导体模块,其特征在于,

所述半导体模块还具备一个以上的绝缘基板,每个绝缘基板分别配置有所述多个第一半导体芯片之中的一个以上的第一半导体芯片,

所述多个第一主感测布线是设置于所述绝缘基板的布线图案。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体模块,其特征在于,所述半导体模块还具备:

多个第二半导体芯片;

第二栅极端子,其与所述多个第二半导体芯片的栅极焊盘连接;

多个第二主栅极布线,其设置于所述收容空间,并且分别与所述多个第二半导体芯片的所述栅极焊盘连接;以及

第二调整栅极布线,其配置在所述多个第二主栅极布线中的至少一个第二主栅极布线与所述第二栅极端子之间,对所述多个第二半导体芯片与所述第二栅极端子之间的布线长度的差异进行调整。

8.根据权利要求7所述的半导体模块,其特征在于,

所述半导体模块还具备基底板,该基底板具有第一端边、以及与所述第一端边对置的第二端边,

所述第一调整栅极布线设置在所述基底板的靠所述第一端边侧的位置,

所述第二调整栅极布线设置在所述基底板的靠所述第二端边侧的位置。

9.根据权利要求7或8所述的半导体模块,其特征在于,所述半导体模块还具备:

第二感测发射极端子,其与所述多个第二半导体芯片的主电极连接;

多个第二主感测布线,其设置于所述收容空间,并且分别与所述多个第二半导体芯片的所述主电极连接;以及

第二调整感测布线,其配置在所述多个第二主感测布线中的至少一个第二主感测布线与所述第二感测发射极端子之间,对所述多个第二半导体芯片与所述第二感测发射极端子之间的布线长度的差异进行调整。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的半导体模块,其特征在于,

所述半导体模块还具备多个所述第一调整栅极布线,

多个所述第一调整栅极布线分别与所述多个第一半导体芯片连接。

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