[发明专利]形成沉积在元素金属膜上的含钼膜的方法

权利要求书

1.一种用于形成含钼膜的方法，该方法包括：

A.在小于或等于约400℃的第一温度下在基材表面上热沉积包含元素金属的第一膜，其中该元素金属是钨、钼、或其组合；以及

B.在大于约400℃的第二温度下在该第一膜的至少一部分上热沉积第二膜，其中该第二膜包含含钼前体与还原剂的反应产物。

2.一种用于形成含钼膜的方法，该方法包括：

A.在小于或等于约400℃的第一温度下在基材表面上热沉积包含元素金属的第一膜，其中该元素金属选自由以下组成的组：钌、钴、及其组合；以及

B.在大于约400℃的第二温度下在该第一膜的至少一部分上热沉积第二膜，其中该第二膜包含含钼前体与还原剂的反应产物。

3.如权利要求1所述的方法，其中，该第一膜包含元素钼并且该第一膜具有大于或等于约2nm的厚度。

4.如权利要求1或权利要求3所述的方法，其中，该第一膜包含元素钼并且具有约2nm至约10nm的厚度。

5.如权利要求1、3或4中任一项所述的方法，其中，该第一膜包含元素钼并且该第一膜具有小于或等于约200μΩ.cm的电导率。

6.如权利要求2所述的方法，其中，该第一膜包含元素钌并且该第一膜具有大于或等于约2nm的厚度。

7.如权利要求1或3至5中任一项所述的方法，其中，该热沉积该第一膜包括将第一含金属前体和共反应物递送至该基材，其中该第一含金属前体是钼卤化物或六羰基钼。

8.如权利要求7所述的方法，其中，该钼卤化物是MoCl₅或MoF₆。

9.如权利要求2或权利要求6所述的方法，其中，该热沉积该第一膜包括将第一含金属前体和共反应物递送至该基材，其中该第一含金属前体是含钌前体。

10.如权利要求9所述的方法，其中，该含钌前体是η4-2，3-二甲基丁二烯三羰基钌((DMBD)Ru(CO)₃)或(乙基苄基)(1-乙基-1，4-环己二烯基)(EtBz)Ru(EtCHD)。

11.如前述权利要求中任一项所述的方法，其中，该热沉积该第二膜包括将该含钼前体和还原剂递送至该基材，其中该含钼前体是钼卤化物或钼卤氧化物。

12.如权利要求11所述的方法，其中，钼卤化物是MoCl₅或MoF₆，并且该钼卤氧化物是MoOCl₄或MoO₂Cl₂。

13.如前述权利要求中任一项所述的方法，其中，该还原剂是氢气或氢等离子体。

14.如前述权利要求中任一项所述的方法，其中，该共反应物选自由以下组成的组：1，4-二-三甲基甲硅烷基-2-甲基-环己-2，5-二烯(CHD)、1，4-双-三甲基甲硅烷基-1，4-二氢吡嗪(DHP)、1-三甲基甲硅烷基环己-2，5-二烯、氮等离子体、氨等离子体、氧气、空气、水、臭氧、NH₃、H₂、肼、烷基肼、及其组合。

15.如前述权利要求中任一项所述的方法，其中，该第一温度是小于或等于约300℃。

16.如前述权利要求中任一项所述的方法，其中，该第一温度是约225℃至约290℃。

17.如前述权利要求中任一项所述的方法，其中，该第二温度是约400℃至约600℃。