[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

半导体基板，其具有上表面和下表面，并且包括体施主和氧；

缓冲区，其至少一部分设置于所述半导体基板的所述下表面侧，掺杂浓度比体施主浓度高；

第一低浓度氢峰，其配置于所述缓冲区；

第二低浓度氢峰，其在所述缓冲区配置在比所述第一低浓度氢峰更靠近所述下表面的位置；

高浓度氢峰，其在所述缓冲区配置在比所述第二低浓度氢峰更靠近所述下表面的位置，并且氢化学浓度比所述第二低浓度氢峰高；以及

平坦区，其包括所述第一低浓度氢峰与所述第二低浓度氢峰之间的区域、以及设置有所述第二低浓度氢峰的区域，所述平坦区的掺杂浓度高于体施主浓度，且所述掺杂浓度的变化为±30％以下，所述掺杂浓度的变化比率小于氢化学浓度的变化比率，与氢化学浓度分布的氢浓度峰对应的掺杂浓度分布的浓度峰的宽度大于所述氢化学浓度分布的所述氢浓度峰的宽度。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述平坦区的深度方向上的掺杂浓度分布具有与所述第二低浓度氢峰对应的所述浓度峰，

所述浓度峰的浓度比所述第二低浓度氢峰的浓度更平缓地变化。

3.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

所述浓度峰配置在比所述第二低浓度氢峰更靠所述半导体基板的所述下表面侧的位置。

4.如权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

在深度方向上，所述平坦区的长度是所述缓冲区的长度的一半以上。

5.如权利要求1至4中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述平坦区的所述掺杂浓度的平均值是所述半导体基板的氧化学浓度的0.01％以上且3％以下。

6.如权利要求1至5中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述半导体基板的氧化学浓度是所述第一低浓度氢峰的氢化学浓度的10倍以上。

7.如权利要求1至6中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述第一低浓度氢峰与所述第二低浓度氢峰之间的间隔(μm)是所述半导体基板的氧化学浓度(atoms/cm³)的3/10¹⁶(μm/(atoms/cm³))倍以下。

8.如权利要求1至7中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述第一低浓度氢峰的氢化学浓度是1.0×10¹⁶atoms/cm³以下，

所述第一低浓度氢峰与所述第二低浓度氢峰之间的间隔为100μm以下。

9.如权利要求1至8中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述缓冲区具有比所述缓冲区的中央更靠所述下表面侧的下表面侧区域、以及比所述缓冲区的中央更靠所述上表面侧的上表面侧区域，

所述缓冲区具有多个低浓度氢峰，所述多个低浓度氢峰包括所述第一低浓度氢峰和所述第二低浓度氢峰，

配置于所述上表面侧区域的所述低浓度氢峰的个数多于配置于所述下表面侧区域的所述低浓度氢峰的个数。

10.如权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，

所述低浓度氢峰的氢化学浓度是1×10¹⁶/cm³以下。

11.如权利要求1至10中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述平坦区的掺杂浓度是所述体施主浓度的2倍以上。

12.如权利要求1至11中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述平坦区的掺杂浓度是0.7×10¹³/cm³以上。