[发明专利]具有高性能涂层的半导体腔室部件

说明书

示例性半导体处理腔室可包括腔室主体。腔室可包括喷头。腔室可包括基板支撑件。基板支撑件可包括平台，平台由面向喷头的第一表面表征。基板支撑件可包括轴，轴沿着与平台的第一表面相对的平台的第二表面与平台耦接。轴可至少部分地延伸穿过腔室主体。涂层可围绕平台的第一表面、平台的第二表面且围绕轴共形地延伸。

相关申请的交叉引用

本申请要求2020年10月26日申请的题为“SEMICONDUCTOR CHAMBER COMPONENTSWITH HIGH-PERFORMANCE COATING(具有高性能涂层的半导体腔室部件)”的美国专利申请第17/080,560号的权益和优先权，其以全文引用的方式并入本文中。

技术领域

本技术涉及半导体系统、处理设备。更具体而言，本技术涉及包括涂层或在腔室部件上形成涂层的系统。

背景技术

通过在基板表面上产生复杂图案化材料层的处理使集成电路成为可能。在基板上产生图案化材料需要可控的用于移除暴露材料的方法。化学蚀刻用于多种目的，包括将光刻胶中的图案转移至下置层上、薄化层或薄化已存在于表面上的特征的侧向尺寸。常常需要有一种蚀刻一种材料的速度比蚀刻另一材料的速度快的蚀刻处理，便于(例如)图案转移处理。此蚀刻处理据称对第一材料具有选择性。由于材料、电路和处理的多样性，因此已开发对多种材料具有选择性的蚀刻处理。

基于处理中使用的材料，可将蚀刻处理称为湿式蚀刻或干式蚀刻。湿式HF蚀刻相对于其他介电质和材料优先移除氧化硅。然而，湿式处理可能难以穿透一些受约束的沟槽，并且有时还可能使剩余的材料变形。湿式处理还可能损坏腔室部件。举例而言，HF蚀刻剂可化学腐蚀由金属(例如铝合金)制成的腔室部件。基板处理区域中形成的局部等离子体中产生的干式蚀刻可穿透更受约束的沟槽，并且展现精细的剩余结构的更少的变形。然而，局部等离子体可在其放电时产生电弧而损坏基板。局部等离子体以及等离子体流出物还可损坏腔室部件。

由此，需要可以用于产生高质量设备和结构的改进的系统和方法。本技术解决这些以及其他需要。

发明内容

示例性半导体处理腔室可包括腔室主体。腔室可包括喷头。腔室可包括基板支撑件。基板支撑件可包括平台，平台由面向喷头的第一表面表征。基板支撑件可包括轴，轴沿着与平台的第一表面相对的平台的第二表面与平台耦接。轴可至少部分地延伸穿过腔室主体。涂层可围绕平台的第一表面、平台的第二表面且围绕轴共形地延伸。

在一些实施例中，涂层可以是或包括含硅涂层。涂层可以是或包括碳化硅、氧化硅、氮化硅、碳氧化硅、氮氧化硅、碳氮化硅或碳氮氧化硅。平台可定义从平台的第一表面延伸的多个突出部。涂层可围绕多个突出部中的每一突出部而延伸。涂层可以由所有已涂覆表面上大于或约1μm的厚度表征。跨基板支撑件的第一表面的涂层可以由小于或约10％的厚度变化表征。从第一表面延伸的平台的角特征可以由比沿平台第一表面的涂层厚度至少大10％的涂层厚度表征。基板支撑件的轴可与半导体处理腔室外的集线器耦接。涂层可沿轴延伸至集线器。平台可以是或包括氮化铝。喷头可包括第一板和第二板，第一板和第二板耦接在一起，以定义第一板与第二板之间的容积。可用与基板支撑件相似的材料涂覆喷头的第一板和第二板的外表面。

本技术的一些实施例可包含半导体处理方法。方法可包括使含卤素前驱物的等离子体流出物流至半导体处理腔室的处理区域中。半导体处理腔室可包括腔室主体。腔室可包括喷头。腔室可包括基板支撑件。基板支撑件可包括平台，平台由面向喷头的第一表面表征。基板支撑件可包括轴，轴沿着与平台的第一表面相对的平台的第二表面与平台耦接。轴可至少部分地延伸穿过腔室主体。涂层可围绕平台的第一表面、平台的第二表面且围绕轴延伸。