[发明专利]具有高性能涂层的半导体腔室部件

权利要求书

1.一种半导体处理腔室，包含：

腔室主体；

喷头；以及

基板支撑件，所述基板支撑件包含：

平台，由面向所述喷头的第一表面表征，以及

轴，沿着与所述平台的所述第一表面相对的所述平台的第二表面耦接至所述平台，其中所述轴至少部分地延伸穿过所述腔室主体，并且其中涂层围绕所述平台的所述第一表面、所述平台的所述第二表面并且围绕所述轴共形地延伸。

2.如权利要求1所述的半导体处理腔室，其中所述涂层包含含硅涂层。

3.如权利要求2所述的半导体处理腔室，其中所述涂层包含碳化硅、氧化硅、氮化硅、碳氧化硅、氮氧化硅、碳氮化硅或碳氮氧化硅。

4.如权利要求1所述的半导体处理腔室，其中所述平台定义从所述平台的所述第一表面延伸的多个突出部。

5.如权利要求4所述的半导体处理腔室，其中所述涂层围绕所述多个突出部中的每一个突出部延伸。

6.如权利要求1所述的半导体处理腔室，其中所述涂层由所有经涂覆表面上大于或约1μm的厚度表征。

7.如权利要求6所述的半导体处理腔室，其中跨所述基板支撑件的所述第一表面的所述涂层由小于或约10％的厚度变化表征。

8.如权利要求6所述的半导体处理腔室，其中从所述第一表面延伸的所述平台的角特征由比沿所述平台的所述第一表面的涂层厚度大至少10％的涂层厚度表征。

9.如权利要求1所述的半导体处理腔室，其中所述基板支撑件的所述轴与所述半导体处理腔室外的集线器耦接，并且其中所述涂层沿所述轴延伸至所述集线器。

10.如权利要求1所述的半导体处理腔室，其中所述平台包含氮化铝。

11.如权利要求1所述的半导体处理腔室，其中所述喷头包含第一板和第二板，所述第一板和所述第二板耦接在一起以定义所述第一板与所述第二板之间的容积，并且其中用与所述基板支撑件类似的材料涂覆所述喷头的所述第一板和第二板的外表面。

12.一种半导体处理方法，包含：

将含卤素前驱物的等离子体流出物输送至半导体处理腔室的处理区域，其中所述半导体处理腔室包含：

腔室主体；

喷头；以及

基板支撑件，所述基板支撑件包含：

平台，由面向所述喷头的第一表面表征，以及

轴，沿着与所述平台的所述第一表面相对的所述平台的第二表面耦接至所述平台，其中所述轴至少部分地延伸穿过所述腔室主体，并且其中涂层围绕所述平台的所述第一表面、所述平台的所述第二表面并且围绕所述轴延伸。

13.如权利要求12所述的半导体处理方法，进一步包含：

在与所述半导体处理腔室分离的涂覆腔室中涂覆所述基板支撑件；以及

在所述半导体处理腔室内安装所述基板支撑件。

14.如权利要求12所述的半导体处理方法，进一步包含：

在移除所述基板支撑件之前在所述半导体处理腔室内处理至少10个基板，或用含卤素前驱物清洗所述半导体处理腔室的所述处理区域至少10次。

15.如权利要求12所述的半导体处理方法，其中所述涂层包含碳化硅、氧化硅、氮化硅、碳氧化硅、氮氧化硅、碳氮化硅或碳氮氧化硅。

16.如权利要求12所述的半导体处理方法，其中所述涂层由所有经涂覆表面上大于或约1μm的厚度表征。