[发明专利]扇出型封装及扇出型封装的制备方法

说明书

本申请涉及芯片封装领域，提供一种扇出型封装以及扇出型封装的制备方法。扇出型封装具有一颗或两颗以上相同或不同功能的芯片、粘合材料层、散热片、包封材料层、封装线路以及对所述封装线路进行保护的封装线路保护层；所述芯片的背面通过所述粘合材料层贴装于所述散热片的芯片贴装区域；在所述芯片的正面覆盖临时保护材料；所述包封材料层通过包封材料流入并填充所述临时保护材料与所述散热片之间的间隙和/或覆盖所述散热片的与贴装有所述芯片的一侧相反的一侧，然后去除所述临时保护材料而形成，由此所述包封材料层覆盖所述芯片、所述粘合材料层和所述散热片；所述封装线路是在所述芯片的正面、所述包封材料以及所述散热片上生长而成的。能够实现散热性好、可提高器件工作功率并降低功耗、适用于高功率密度芯片。

技术领域

本申请涉及芯片封装领域，具体涉及能够实现散热性好、可提高器件工作功率并降低功耗、适用于高功率密度的芯片的扇出型封装以及扇出型封装的制备方法。

背景技术

随着电子产品越来越小型化、智能化、高性能以及高可靠性方向发展，高功率密度的芯片也需要小型化、智能化、系统化。高功率密度的芯片的传统封装方法是：将芯片贴装到线路基板上，用引线键合工艺进行电互连，然后进行包封。这存在封装体积大、散热差、基板上的器件工作温度很高，一般大于130℃、功率损耗大、可靠性差等问题。而且这种方法不适合集成不耐高温的芯片。

发明内容

本申请是鉴于上述情况而提出的，其目的在于提供一种散热性好、可提高器件工作功率并降低功耗、适用于高功率密度芯片的扇出型封装以及扇出型封装的制备方法。

为了解决上述问题，本申请提供一种扇出型封装，具有一颗或两颗以上相同或不同功能的芯片、粘合材料层、散热片、包封材料层、封装线路以及对所述封装线路进行保护的封装线路保护层；所述芯片的背面通过所述粘合材料层贴装于所述散热片的芯片贴装区域；在所述芯片的正面覆盖临时保护材料；所述包封材料层通过包封材料流入并填充所述临时保护材料与所述散热片之间的间隙和/或覆盖所述散热片的与贴装有所述芯片的一侧相反的一侧，然后去除所述临时保护材料而形成，由此所述包封材料层覆盖所述芯片、所述粘合材料层和所述散热片；所述封装线路是在所述芯片的正面、所述包封材料以及所述散热片上生长而成的。

可选的，在上述的扇出型封装中，所述散热片具有在所述扇出型封装的厚度方向上镂空的镂空孔，是供构成所述包封材料层的包封材料流动的通道。

可选的，在上述的扇出型封装中，在所述扇出型封装的厚度方向上，所述芯片贴装区域的表面与所述散热片的其他区域处同一水平面。

可选的，在上述的扇出型封装中，在所述扇出型封装的厚度方向上，所述芯片贴装区域的表面高于所述散热片的其他区域的表面。

可选的，在上述的扇出型封装中，在所述扇出型封装的厚度方向上，所述芯片贴装区域的表面低于所述散热片的其他区域的表面。

可选的，在上述的扇出型封装中，在所述散热片上设置有凸出结构，在所述扇出型封装的厚度方向上，所述凸出结构的表面高于所述芯片贴装区域的表面。

可选的，在上述的扇出型封装中，在所述扇出型封装的厚度方向上，所述芯片的正面高于所述散热片的除了所述芯片贴装区域以外的部分，所述芯片的正面以与所述包封材料层的上表面处于同一平面的方式从所述包封材料层露出。

可选的，在上述的扇出型封装中，在所述扇出型封装的厚度方向上，所述芯片的正面与所述散热片的凸出结构的上表面处于同一平面，所述芯片的正面以及所述散热片的凸出结构的上表面以与所述包封材料层的上表面处于同一平面的方式从所述包封材料层露出，所述封装线路直接在所述芯片的正面、所述包封材料层的上表面以及所述散热片的凸出结构的上表面生长而成。

可选的，在上述的扇出型封装中，在所述包封材料层形成有在所述厚度方向上从所述包封材料层的上表面垂直贯通到所述散热片的与所述芯片贴装区域相连的部分的上表面的通孔，所述通孔成为供形成所述封装线路的导电材料流动的通道。