[实用新型]半导体存储装置

说明书

本申请公开一种本半导体存储装置，来优化最终生产的存储装置的电性。本申请提供的一种半导体存储装置包括：衬底，上表面形成有接触窗，内部形成有有源区，所述有源区暴露于所述接触窗；阻挡层，位于所述衬底上表面；衬垫，位于所述接触窗内，上表面高于所述阻挡层的上表面，且所述衬垫并与所述接触窗暴露的有源区相接触，且所述衬垫至少包括第一材料层，所述第二材料层的最下表面低于所述第一材料层的最上表面。

技术领域

本申请涉及半导体器件领域，具体涉及半导体存储装置。

背景技术

在半导体制作工艺中，存储装置的生产制作非常重要。在生产存储装置时，需要在微小的芯片上形成依靠位线、字线交错连接的MOS管，因此，芯片上至少要形成MOS管的栅极、源极和漏极。

在制备芯片上的MOS管的栅极时，通常是在芯片上先形成一个接触窗，该接触窗与芯片内形成的有源区接触，之后在所述接触窗内形成衬垫，衬垫的材料通常是多晶硅、掺磷硅等，之后，在所述衬垫表面形成金属堆叠结构，经刻蚀等操作，形成所需的形貌后，即可作为位线栅极使用。

现有技术中生产的存储装置经常会存在电性不佳的情形。亟需提出一种新的半导体存储装置的制备方法，来优化最终生产的存储装置的电性。

实用新型内容

鉴于此，本申请提供一种半导体存储装置，来优化最终生产的存储装置的电性。

本申请提供的一种半导体存储装置，包括：衬底，上表面形成有接触窗，内部形成有有源区，所述有源区暴露于所述接触窗；阻挡层，位于所述衬底上表面；衬垫，位于所述接触窗内，上表面高于所述阻挡层的上表面，且所述衬垫并与所述接触窗暴露的有源区相接触，且所述衬垫至少包括第一材料层，以及位于所述第一材料层之上的第二材料层。

可选的，所述第二材料层的最下表面低于所述第一材料层的最上表面。

可选的，所述第一材料层的上表面有凹陷处。

可选的，所述第一材料层包括具有掺杂离子的非晶硅层以及掺磷硅层中的至少一种。

可选的，所述第二材料层包括具有掺杂离子的掺磷硅层或硅层中的至少一种。

可选的，所述第一材料层与第二材料层均具有掺杂离子，且所述第一材料层与第二材料层的掺杂离子浓度不同。

可选的，所述第一材料层与第二材料层均具有掺杂离子，且所述第一材料层与第二材料层的掺杂离子种类不同。

可选的，所述阻挡层包括位于所述衬底上表面的第一绝缘层以及位于第一绝缘层上表面的第二绝缘层。

可选的，所述阻挡层还包括位于所述第二绝缘层上表面的第三绝缘层，以及位于所述第三绝缘层上表面的第一导电层。

可选的，所述第一导电层、第一材料层与第二材料层包括具有掺杂离子，且所述第一导电层、第一材料层与第二材料层的掺杂离子浓度不同。

可选的，所述掺杂离子包括Si离子束、C离子束、Ge离子束、As离子束以及Sb离子束、P离子束中的至少一种。

可选的，所述第二材料最下表面高于所述衬底的最上表面。

可选的，第一材料最上表面高于所述衬底的最上表面。

本申请中的半导体存储装置在形成衬垫时，所述衬垫内没有空洞，或有尺寸小于预设值的空洞。并且，所述第一材料层可以是具有掺杂离子的第一材料层，在进行离子掺杂工艺，如做离子束注入时，离子束轰击所述第一材料层中原有的化学键，使所述第一材料层中的化学键可以断裂并重组，从而朝所述第一材料层中的空洞移动，填充所述空洞，缩小所述空洞的尺寸，甚至填充满所述空洞，从而让所述空洞消失，从而优化基于所述半导体存储装置的电性。

附图说明