[实用新型]半导体功率器件

权利要求书

1.一种半导体功率器件，包括：包覆于环氧封装体（1）内的第一芯片基板（2）、第二芯片基板（3）和一端自环氧封装体（1）中伸出的第一引脚（4）、第二引脚（5），其特征在于：所述第一芯片基板（2）包括用于与至少两颗芯片（6）连接的第一支撑区（21）和垂直于第一支撑区（21）一端的第一引线区（22），所述第二芯片基板（3）包括与第一支撑区（21）平行间隔设置的第二支撑区（31）和垂直于第二支撑区（31）一端并位于第一支撑区（21）远离第一引线区（22）一端外侧的第二引线区（32），所述第二引线区（32）与第二支撑区（31）的连接处具有一第一折弯部（8），使得位于第一支撑区（21）外侧的第二引线区（32）的上表面在竖直方向上低于第一支撑区（21）的下表面；

所述第二支撑区（31）与第二引线区（32）的连接处并位于靠近第一折弯部（8）一侧边缘处具有一缺口（12），所述缺口（12）与第一折弯部（8）在水平面上贴近设置。

2.根据权利要求1所述的半导体功率器件，其特征在于：所述缺口（12）为半圆形缺口。

3.根据权利要求1所述的半导体功率器件，其特征在于：所述缺口（12）位于第二支撑区（31）上的芯片（6）下方。

4.根据权利要求1所述的半导体功率器件，其特征在于：所述第一引线区（22）、第二引线区（32）各自靠近环氧封装体（1）边缘区域具有一向下的第二折弯部（10），使得第一引线区（22）、第二引线区（32）伸出环氧封装体（1）区域的下表面与环氧封装体（1）的下表面齐平。

5.根据权利要求1所述的半导体功率器件，其特征在于：所述第二芯片基板（3）的上表面上间隔设置有第一芯片（61）、第二芯片（62）且该第一芯片（61）、第二芯片（62）各自的正极与第一芯片基板（2）电导通，所述第一芯片基板（2）的上表面上间隔设置有第三芯片（63）、第四芯片（64）且该第三芯片（63）、第四芯片（64）各自的负极与第二芯片基板（3）电导通，所述第一芯片（61）的负极、第三芯片（63）的正极通过一连接片（7）与第一引脚（4）位于环氧封装体（1）内的一端电连接，所述第二芯片（62）的负极、第四芯片（64）的正极通过另一连接片（7）与第二引脚（5）位于环氧封装体（1）内的一端电连接。

6.根据权利要求1所述的半导体功率器件，其特征在于：所述第一芯片基板（2）、第二芯片基板（3）为铜基板。