[实用新型]用于芯片的封装结构有效

专利信息
申请号: 202120708228.1 申请日: 2021-04-07
公开(公告)号: CN215496709U 公开(公告)日: 2022-01-11
发明(设计)人: 康孝恒;蔡克林;唐波;杨飞;李瑞;许凯;蒋乐元 申请(专利权)人: 惠州市志金电子科技有限公司
主分类号: H01L25/075 分类号: H01L25/075;H01L33/48;H01L33/62;H01L33/64
代理公司: 广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) 44288 代理人: 李健
地址: 516083 广东省惠*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 用于 芯片 封装 结构
【说明书】:

实用新型公开了一种用于芯片的封装结构,包括:衬底、第一焊盘、第二焊盘、第一发光芯片和第二发光芯片。衬底包括第一焊盘固定位、第二焊盘固定位。第一焊盘设置在第一焊盘固定位上。焊盘第一部上设置有第一发光位,焊盘第二部上设置有第二发光位。第二焊盘设置在第二焊盘固定位上,第二焊盘上设置有第三发光位。第一发光芯片通过第一发光位和第二发光位设置在第一焊盘上。第二发光芯片通过第三发光位设置在第二焊盘上。通过第一发光位和第二发光位设置第一发光芯片,通过第二焊盘上的第三发光位设置第二发光芯片,既能减少发热路径,提升散热性能,减少焊接流程,提高生产效率,又能做到成本低廉,满足了人民的需求。

技术领域

本实用新型涉及灯具领域,特别涉及一种用于芯片的封装结构。

背景技术

LED是Light Emitting Diode的缩写,即发光二极管,是一种能够将电能转化为光的固态半导体器件。正装芯片是最早也是最成熟的封装结构,该结构从上到下依次为P-GaN,发光层,N-GaN,衬底;而随着消费市场对显示屏像素要求的期望越来越高,点间距也在逐步微缩化,倒装结构从上至下的结构为衬底,N-GaN,发射层,P-GaN,金属电极和凸点,由于其蓝宝石衬底朝上,两个电极的同一面朝下,电极凸点与基板向下直接相连,使得发热路径最短,大大增强了芯片的导热能力,同时也提供了更大的发光面积。倒装结构相对于正装而言,其散热性能更佳,出光效率高,可靠性高,适合于高功率产品;另一方面倒装结构减少了焊线流程,生产效率更高,并且突破了正装产品的点间距的限制,但也有一定的缺点,比如倒装芯片的价格更高。

因此,现有技术中用于芯片的封装结构,要不散热性能差,要不价格高,都不能满足人们的需求。

实用新型内容

有鉴于此,本实用新型提供了一种用于芯片的封装结构,用于解决现有技术中的用于芯片的封装结构,要不散热性能差,要不价格高,都不能满足人们的需求的问题。

为达上述之一或部分或全部目的或是其他目的,本实用新型提出一种一种用于芯片的封装结构,包括:

衬底,包括设置在所述衬底上端面的第一焊盘固定位、第二焊盘固定位;

第一焊盘,设置在所述第一焊盘固定位上,包括焊盘第一部和与焊盘第一部并列设置的焊盘第二部;所述焊盘第一部上设置有第一发光位,所述焊盘第二部上设置有第二发光位;

第二焊盘,设置在所述第二焊盘固定位上,所述第二焊盘上设置有第三发光位;

第一发光芯片,通过所述第一发光位和第二发光位设置在所述第一焊盘上;

第二发光芯片,通过所述第三发光位设置在所述第二焊盘上。

在本实施例所述的用于芯片的封装结构中,所述第一焊盘至少设置一个,所述第二焊盘至少设置一个。

在本实施例所述的用于芯片的封装结构中,所述第一焊盘和第二焊盘间隔设置在所述衬底中部。

在本实施例所述的用于芯片的封装结构中,所述第一焊盘设置为两个,所述第二焊盘设置为一个。

在本实施例所述的用于芯片的封装结构中,所述第二焊盘设置在衬底中央,所述第一焊盘设置在所述第二焊盘两侧。

在本实施例所述的用于芯片的封装结构中,所述第一焊盘相邻设置。

在本实施例所述的用于芯片的封装结构中,所述第一焊盘设置为一个,所述第二焊盘设置为两个。

在本实施例所述的用于芯片的封装结构中,所述第一焊盘设置在衬底中央,所述第二焊盘设置在所述第一焊盘两侧。

在本实施例所述的用于芯片的封装结构中,所述第二焊盘相邻设置。

在本实施例所述的用于芯片的封装结构中,所述焊盘第一部和所述焊盘第二部均为矩形结构,所述第二焊盘为矩形结构。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于惠州市志金电子科技有限公司,未经惠州市志金电子科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202120708228.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top