[实用新型]半导体处理设备

权利要求书

1.一种半导体处理设备，其特征在于，包括：

壳体；

连接于所述壳体的第一装载装置，所述第一装载装置位于所述壳体外，所述第一装载装置用于装载第一类晶圆盒并使所述第一类晶圆盒与所述壳体内部连通；及

连接于所述壳体的第二装载装置，所述第二装载装置位于所述壳体外，并与所述壳体内部连通，所述第二装载装置用于装载第二类晶圆盒，所述第一类晶圆盒与所述第二类晶圆盒不同。

2.根据权利要求1所述的半导体处理设备，其特征在于，

所述第一装载装置与所述第二装载装置分别位于所述壳体的不同侧；和/或

所述第一装载装置与所述第二装载装置分别位于所述壳体的相同侧；和/或

所述第一装载装置的数量为一个或多个；和/或

所述第二装载装置的数量为一个或多个。

3.根据权利要求1所述的半导体处理设备，其特征在于，所述壳体包括主体部及第一凸出部，所述主体部包括侧壁，所述第一凸出部自所述主体部的侧壁的外表面凸出，所述第一装载装置包括：

连接门，所述连接门嵌设于所述主体部的侧壁，并能够选择性的打开或关闭所述主体部；及

第一承载台，所述第一承载台设置于所述第一凸出部，并用于承载所述第一类晶圆盒，在所述第一类晶圆盒放置在所述第一承载台上时，所述第一类晶圆盒与所述连接门抵接，以遮挡所述主体部内部。

4.根据权利要求3所述的半导体处理设备，其特征在于，所述第一承载台包括本体及第一定位件，所述第一定位件设置于所述本体，所述第一类晶圆盒的底部设置有第二定位件，所述第一定位件与所述第二定位件配合以定位所述第一类晶圆盒。

5.根据权利要求1所述的半导体处理设备，其特征在于，所述壳体包括主体部及第二凸出部，所述主体部的侧壁开设有通孔，所述第二凸出部自所述主体部的侧壁的外表面凸出，所述第二装载装置包括：

晶圆盒箱，所述晶圆盒箱包括开放的底壁及开放的晶圆盒箱的侧壁，所述底壁与所述晶圆盒箱的侧壁相邻，所述底壁放置于所述第二凸出部，所述晶圆盒箱的侧壁罩设所述通孔以连通所述主体部内部与所述晶圆盒箱；及

第二承载台，所述第二承载台放置在所述第二凸出部，并收容于所述晶圆盒箱内，所述第二承载台用于承载所述第二类晶圆盒。

6.根据权利要求5所述的半导体处理设备，其特征在于，所述晶圆盒箱包括：

箱体，所述箱体安装在所述第二凸出部的顶部，所述箱体设有开口；及

箱门，所述箱门与所述箱体活动连接，并能够选择性地封闭或开放所述开口。

7.根据权利要求6所述的半导体处理设备，其特征在于，所述箱门与所述箱体通过转轴活动连接，所述晶圆盒箱还包括：

气压杆，所述气压杆的一端与所述箱门连接，另一端与所述箱体连接，所述气压杆伸缩以带动所述箱门绕所述转轴转动，以封闭或开放所述开口。

8.根据权利要求1所述的半导体处理设备，其特征在于，所述半导体处理设备还包括：

机械臂，所述机械臂设置于所述壳体内部，并用于抓取所述第一类晶圆盒中的晶圆和/或所述第二类晶圆盒中的晶圆；

对位装置，所述对位装置设置于所述壳体内部，并用于检测及校准所述晶圆的位置；

所述机械臂与所述第一装载装置、所述第二装载装置、及所述对位装置分别具有第一距离、第二距离及第三距离，所述第一距离、所述第二距离及所述第三距离中的至少两个相同。

9.根据权利要求8所述的半导体处理设备，其特征在于，所述半导体处理设备还包括：

静电检测装置，所述静电检测装置位于所述壳体内的所述对位装置所在区域，并用于检测所述壳体内的静电；及

静电消除装置，所述静电消除装置设置所述壳体内，并用于放电产生正负离子以消除所述壳体内的静电。

10.根据权利要求9所述的半导体处理设备，其特征在于，所述半导体处理设备还包括：

净化单元，所述净化单元安装在所述壳体的顶部，用于朝所述静电消除装置和/或所述机械臂送风；及

回风系统，所述回风系统用于抽取所述壳体内部的气体。