[实用新型]半导体结构加工设备

说明书

本公开实施例公开了一种半导体结构加工设备，其特征在于，包括：处理腔室，包括腔体和位于所述腔体内的容置空间；等离子体产生装置，位于所述腔体的顶部，并与所述容置空间连通；承载台，位于所述容置空间内，用于承载半导体结构；光照加热装置，位于所述等离子体产生装置与所述承载台之间。

技术领域

本公开实施例涉及半导体技术领域，特别涉及一种半导体结构加工设备。

背景技术

在半导体工业中，半导体结构(例如硅衬底)在接触氧气的条件下，表面容易发生自然氧化形成氧化膜。在半导体结构上沉积金属膜之前，需要进行一道预处理(Pre-clean)工艺，来除去半导体结构表面的自然氧化膜，以免影响半导体器件的电性能。

在实际生产中，上述预处理工艺的效率较低，导致生产效率不高。因此，如何提高上述预处理工艺的效率，以提高生产效率，一直是半导体制造中需要改进的问题。

实用新型内容

有鉴于此，本公开实施例提供一种半导体结构加工设备。

根据本公开实施例，提供一种半导体结构加工设备，包括：

处理腔室，包括腔体和位于所述腔体内的容置空间；

等离子体产生装置，位于所述腔体的顶部，并与所述容置空间连通；

承载台，位于所述容置空间内，用于承载半导体结构；

光照加热装置，位于所述等离子体产生装置与所述承载台之间

在一些实施例中，所述半导体结构加工设备还包括：

控制装置，与所述光照加热装置连接，用于在所述半导体结构置于所述容置空间内的时长增加至第一预设时长时，控制所述光照加热装置开始对所述半导体结构加热；

所述控制装置，还用于在所述半导体结构置于所述容置空间内的时长增加至第二预设时长时，控制所述光照加热装置停止对所述半导体结构加热；

其中，所述第二预设时长大于所述第一预设时长。

在一些实施例中，所述半导体结构加工设备还包括：

温度检测装置，位于所述容置空间内，用于检测所述容置空间内的温度，获得检测温度；

所述控制装置，与所述温度检测装置连接，用于在所述光照加热装置对所述半导体结构加热，且所述检测温度大于第一温度阈值时，减小所述光照加热装置的加热功率；

所述控制装置，还用于在所述光照加热装置对所述半导体结构加热，且所述检测温度小于第二温度阈值时，增大所述光照加热装置的加热功率；

其中，所述第二温度阈值小于所述第一温度阈值。

在一些实施例中，所述光照加热装置呈圆盘状，所述光照加热装置包括：

多个加热灯，位于所述光照加热装置的下表面；其中，相邻所述加热灯之间的间距相同，所述下表面平行于所述承载台；

多个通孔，所述通孔垂直贯穿所述光照加热装置的上表面和所述下表面，相邻所述通孔之间的间距相同；其中，所述上表面与所述下表面为呈所述圆盘状的所述光照加热装置的相反面。

在一些实施例中，所述光照加热装置呈环状，所述承载台呈圆形；

所述光照加热装置的外径大于所述承载台的直径；

所述等离子体产生装置向所述承载台所在平面的第一投影，位于所述光照加热装置的内环向所述承载台所在平面的第二投影内。

在一些实施例中，所述光照加热装置呈环状，所述光照加热装置包括：