[实用新型]半导体结构加工设备

权利要求书

1.一种半导体结构加工设备，其特征在于，包括：

处理腔室，包括腔体和位于所述腔体内的容置空间；

等离子体产生装置，位于所述腔体的顶部，并与所述容置空间连通；

承载台，位于所述容置空间内，用于承载半导体结构；

光照加热装置，位于所述等离子体产生装置与所述承载台之间。

2.根据权利要求1所述的半导体结构加工设备，其特征在于，所述半导体结构加工设备还包括：

控制装置，与所述光照加热装置连接，用于在所述半导体结构置于所述容置空间内的时长增加至第一预设时长时，控制所述光照加热装置开始对所述半导体结构加热；

所述控制装置，还用于在所述半导体结构置于所述容置空间内的时长增加至第二预设时长时，控制所述光照加热装置停止对所述半导体结构加热；

其中，所述第二预设时长大于所述第一预设时长。

3.根据权利要求2所述的半导体结构加工设备，其特征在于，所述半导体结构加工设备还包括：

温度检测装置，位于所述容置空间内，用于检测所述容置空间内的温度，获得检测温度；

所述控制装置，与所述温度检测装置连接，用于在所述光照加热装置对所述半导体结构加热，且所述检测温度大于第一温度阈值时，减小所述光照加热装置的加热功率；

所述控制装置，还用于在所述光照加热装置对所述半导体结构加热，且所述检测温度小于第二温度阈值时，增大所述光照加热装置的加热功率；

其中，所述第二温度阈值小于所述第一温度阈值。

4.根据权利要求1所述的半导体结构加工设备，其特征在于，所述光照加热装置呈圆盘状，所述光照加热装置包括：

多个加热灯，位于所述光照加热装置的下表面；其中，相邻所述加热灯之间的间距相同，所述下表面平行于所述承载台；

多个通孔，所述通孔垂直贯穿所述光照加热装置的上表面和所述下表面，相邻所述通孔之间的间距相同；其中，所述上表面与所述下表面为呈所述圆盘状的所述光照加热装置的相反面。

5.根据权利要求1所述的半导体结构加工设备，其特征在于，

所述光照加热装置呈环状，所述承载台呈圆形；

所述光照加热装置的外径大于所述承载台的直径；

所述等离子体产生装置向所述承载台所在平面的第一投影，位于所述光照加热装置的内环向所述承载台所在平面的第二投影内。

6.根据权利要求1所述的半导体结构加工设备，其特征在于，所述光照加热装置呈环状，所述光照加热装置包括：

多个加热灯，位于呈所述环状的所述光照加热装置朝向所述承载台的表面；其中，位于相同半径的圆环上的相邻所述加热灯之间的间距相同。

7.根据权利要求1所述的半导体结构加工设备，其特征在于，

所述光照加热装置的侧面包括凸起，所述腔体的内壁包括与所述凸起适配的凹槽；其中，所述凹槽用于卡接所述凸起。

8.根据权利要求1所述的半导体结构加工设备，其特征在于，所述光照加热装置的加热温度范围为：30℃到200℃。

9.根据权利要求1所述的半导体结构加工设备，其特征在于，所述半导体结构加工设备还包括：

抽气装置，用于通过位于所述腔体内壁上的出气孔排出所述容置空间内的气体；其中，所述出气孔位于所述承载台下方。

10.根据权利要求1所述的半导体结构加工设备，其特征在于，

所述等离子体产生装置，用于利用氨气和氟化氮气体，产生等离子体。