[发明专利]框架及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202111626925.3 申请日: 2021-12-28
公开(公告)号: CN114512460A 公开(公告)日: 2022-05-17
发明(设计)人: 汤海霞;吉加安;成明建;陆蓉 申请(专利权)人: 通富微电子股份有限公司
主分类号: H01L23/495 分类号: H01L23/495;H01L21/48
代理公司: 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 代理人: 刘桂兰
地址: 226000 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 框架 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种框架,其特征在于,所述框架包括:

支撑部,具有支撑面;

连接部,多个所述连接部与所述支撑部连接,相邻两个所述连接部之间设有开口,所述连接部设有与所述支撑面相背设置的焊接面以及与所述焊接面连接的凹陷区域,其中,所述凹陷区域的表面设置有导电层,所述导电层的材料与焊接料相同,所述焊接料用于将所述框架焊接到电路板上。

2.根据权利要求1所述的框架,其特征在于,所述凹陷区域与所述开口连通。

3.根据权利要求1所述的框架,其特征在于,所述导电层的材料为锡。

4.根据权利要求1所述的框架,其特征在于,所述凹陷区域包括通孔或者凹槽。

5.根据权利要求1所述的框架,其特征在于,所述支撑部以及多个所述连接部组成重复单元,所述框架包括多个呈阵列排布的所述重复单元,其中,同一行或同一列的相邻两个所述重复单元中的所述连接部对应连接,所述凹陷区域位于相邻两个所述重复单元中的所述连接部的连接处。

6.根据权利要求5所述的框架,其特征在于,所述框架的切割线经过同一行或同一列的所述凹陷区域。

7.一种框架的制备方法,其特征在于,所述方法包括:

形成支撑部以及与所述支撑部连接的多个连接部;其中,所述支撑部设有支撑面,相邻两个所述连接部之间设有开口,所述连接部设有与所述支撑面相背设置的焊接面以及与所述焊接面连接的凹陷区域,其中,所述凹陷区域的表面设置有导电层,所述导电层的材料与焊接料相同,所述焊接料用于将所述框架焊接到电路板上。

8.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,所述形成支撑部以及与所述支撑部连接的多个连接部的步骤,包括:

提供基板,所述基板包括多个支撑区域以及多个连接区域,相邻两个支撑区域之间具有一个所述连接区域;

在所述支撑区域形成支撑部;

在所述连接区域形成与所述支撑区域连通的多个开口,以使得相邻两个所述开口之间形成连接部,并使得所述连接部形成有所述凹陷区域,所述框架的切割线经过同一行或同一列的所述凹陷区域;其中,所述连接部的两端分别与相邻两个支撑部连接;

在所述连接部的表面形成所述导电层。

9.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,所述在所述连接区域形成与所述支撑区域连通的多个开口的步骤,包括:

采用冲压工艺,在所述连接区域形成与所述支撑区域连通的多个所述开口以及与所述开口连接的所述凹陷区域。

10.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,所述在所述连接部的表面形成所述导电层的步骤,包括:

采用电镀工艺在所述连接部的表面形成所述导电层。

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