[发明专利]发光芯片的转移方法、显示面板和显示装置

说明书

本申请涉及一种发光芯片的转移方法，所述转移方法包括：提供外延片，通过所述外延片制备多个发光芯片；制作包括多个所述发光芯片和第一金属层的片源，所述第一金属层罩设于所述发光芯片的第一电极和第二电极上，并与所述第一电极和所述第二电极间隔设置；提供临时基板，将所述片源背对所述发光芯片的衬底层的一侧与所述临时基板粘接；去除所述发光芯片的所述衬底层；抓取多个所述发光芯片，并将多个所述发光芯片与所述第一金属层脱离连接；将多个所述发光芯片转移至背板，多个所述发光芯片的所述第一电极和所述第二电极与所述背板电连接，解决现有技术中发光芯片无法便捷抓取的问题。本申请还提供了一种显示面板以及具有该显示面板的显示装置。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，特别涉及一种发光芯片的转移方法、显示面板以及具有该显示面板的显示装置。

背景技术

微型发光二极管(Micro Light Emitting Diode，Micro LED)作为新一代的显示技术，与传统LED相比，其具有高分辨率、低功耗、高亮度、高对比、高色彩饱和度、反应速度快、厚度薄、寿命长等特性。随着制程的成熟和价格的下降，近年来基于Micro LED等发光芯片的相关显示产品越来越多，例如电视机、手机屏幕等。由于显示产品对于像素错误的容忍度较低，因此提升转移发光芯片的良率对提高显示产品的良率尤为重要。

目前，发光芯片常用的转移方法包括：静电力、范德华力、磁力、激光选择转移、流体转移以及直接转移，其中，当前使用较多的转移方式就是范德华力，范德华力使用弹性印模对发光芯片进行选择性拾取转移至衬底。为了顺利对发光芯片进行转移，要让制备好的发光芯片能顺利地被弹性体吸附并脱离原基底，这要求发光芯片下面呈现“镂空”的状态，发光芯片只通过锚点和断裂链固定在基底上面。然而，由于发光芯片下面呈现“镂空”的结构就是发光芯片的转移基板，因此转移基板的好坏决定了发光芯片的转移的良率。

发明内容

鉴于上述现有技术的不足，本申请的目的在于提供一种发光芯片的转移方法、显示面板以及具有该显示面板的显示装置，其旨在解决现有技术中存在的由于Micro发光芯片无法便捷地被弹性印模抓取的问题。

一种发光芯片的转移方法，所述转移方法包括：提供外延片，通过所述外延片制备多个发光芯片；制作包括多个所述发光芯片和第一金属层的片源，所述第一金属层罩设于所述发光芯片的第一电极和第二电极上，并与所述第一电极和所述第二电极间隔设置；提供临时基板，将所述片源背对所述发光芯片的衬底层的一侧与所述临时基板粘接；去除所述发光芯片的所述衬底层；抓取多个所述发光芯片，并将多个所述发光芯片与所述第一金属层脱离连接；将多个所述发光芯片转移至背板，多个所述发光芯片的所述第一电极和所述第二电极与所述背板电连接。

综上所述，在本申请的发光芯片的转移方法中，通过制作包括多个发光芯片和第一金属层的作为空心金属的弱化结构的片源，所述第一金属层罩设于所述发光芯片的第一电极和第二电极上，并与所述第一电极和所述第二电极间隔设置，并通过所述转移头抓取多个所述发光芯片，并将多个所述发光芯片与所述第一金属层脱离连接，从而将多个所述发光芯片转移至背板，解决了现有技术中发光芯片无法便捷地被弹性印模抓取的问题，从而增加了所述发光芯片的转移良率。

可选地，所述提供外延片，通过所述外延片制备多个发光芯片，包括：提供包括多个外延结构的所述外延片，在所述外延片上形成多个第一开槽，每个所述第一开槽对应一个所述外延结构设置，且将所述外延结构形成第一区域和第二区域；在所述外延片上形成多个第二开槽，每个所述第二开槽设置于相邻的两个所述外延结构之间；在所述外延片中位于所述第一区域的第二半导体层上形成第二金属层；形成覆盖所述外延片和所述第二金属层的绝缘保护层；部分去除所述第二金属层和第一半导体层处的所述绝缘保护层以部分露出所述第二金属层和所述第一半导体层；在部分露出所述第二金属层和所述第一半导体层的位置分别形成所述第一电极和所述第二电极，所述第一电极与所述第一金属层电连接，所述第二电极与所述第二半导体层电连接，以得到多个所述发光芯片。