[发明专利]一种在碳化硅晶圆上涂敷胶体并划片取样的方法

说明书

本发明公开了一种碳化硅晶圆上涂敷胶体并划片取样的方法。通过在碳化硅晶圆或残片正面涂敷光刻胶等胶状材料，之后放入机械划片机划取需要的管芯、图形或位置。划取结束后去除表面光刻胶，以达到避免在机械划片过程中造成的碎屑，杂质，颗粒等物质残留在碳化硅晶圆图形表面和内部的目的。

技术领域

本发明属于半导体工艺，具体是一种在碳化硅晶圆上涂敷胶体并划片取样的方法。

背景技术

常规的碳化硅晶圆划片方法会引入碎屑，杂质，颗粒等物质残留在碳化硅晶圆图形表面和内部，影响后续在显微镜下观察和拍照样品的形貌和细节，并且在后续测试单个从晶圆上取样下来的管芯时，会引入不应有的漏电等异常现象。更严重的情况是在机械划片的过程中，引起与刀片接触的晶圆截面位置结构被破坏掉，截面图形无法较好保存。

发明内容

针对上述所描述的各种不希望出现的现象。本发明的目的是通过在机械划片前，对碳化硅晶圆表面涂敷胶体的方式来保护碳化硅晶圆表面的图形。使用本方法，机械划片过程中造成的碎屑，杂质，颗粒等物质会掉落在胶体上，并被胶体粘住。之后随着使用化学溶剂去胶的方法，这些碎屑，杂质，颗粒等物质会随之被冲洗去掉，最终保留完整并且洁净的碳化硅晶圆表面图形。

并且胶体对碳化硅表面高低差的图形具有一定的支撑作用，能一定程度的减缓机械划片对于碳化硅晶圆截面的损伤和破坏，尽可能的保留完整形貌以供接下来在显微镜下观察断面的形貌。

为达到上述目的，本发明是一种在碳化硅晶圆上涂敷胶体并划片取样的方法，其特征是：

划取的对象可以是半径大于2cm的圆形碳化硅晶圆，或大于2cm*2cm的各种形状的碳化硅残片。圆片或残片的上表面已经过前道工艺做出图形，图形具有一定深宽比，比如说刻出了槽或者已经制作了器件结构等。并且表面不存在类似胶状的物质。圆片或残片的背面要平整，这样在涂胶和划片的时候都可以平放在工作台面上。

在需要划片的碳化硅晶圆上涂胶时可以采用从上向下滴胶并配合旋转晶圆的方式。也就是说将晶圆平放，带图形的一面向上，在晶圆上方距离晶圆上面一定距离的位置缓慢向下滴出胶体。同时使晶圆在放置平面上按一定的速度自旋。当胶滴到晶圆上时，由于晶圆自旋的加速度，会使胶体由中心逐渐向外均匀流动，最终布满整个晶圆。

在这个过程中注意滴胶的位置要在晶圆中心。晶圆的自旋速度不宜过快，避免将胶体甩出晶圆表面和涂敷不均匀的情况出现；也不宜过慢，这样胶体在晶圆上的运动不充分，涂敷不均匀。

当带划片的碳化硅晶圆上表面都均匀涂敷了一定厚度的胶体后，讲该晶圆放入机械划片机中进行划片。此时的划片过程与常规的机械划片过程一致。划片结束后将划下来的晶圆不同部分分别取出，用化学溶剂或冲洗的方法将划片后的碳化硅残片上表面的胶体去除，得到整洁并符合要求的碳化硅残片和截面图形，用于后续的测试和观察拍照工作。

附图说明

图1为待划片的碳化硅晶圆示意图；

图中标号说明：1-通过前道工艺在碳化硅晶圆上制作出的管芯；2-待划片的碳化硅晶圆；

图2为在碳化硅晶圆上滴胶的示意图；

图中标号说明：2-待划片的碳化硅晶圆；3-胶体；4-滴胶管路；5-旋转托盘；

图3是碳化硅晶圆背面贴蓝膜示意图

图中标号说明：6-涂敷了胶体的碳化硅晶圆；7-蓝色塑料薄膜；

图4是机械划片的示意图；

图中标号说明：8-刀片；9-背面贴上蓝色塑料薄膜的碳化硅晶圆；10-目标管芯；

图5是去除碳化硅晶圆表面胶体的示意图；

图中标号说明：11-溶解胶体的溶液；12-清洗槽；13-划片下来的晶圆残片；