[发明专利]一种在碳化硅晶圆上涂敷胶体并划片取样的方法

权利要求书

1.一种碳化硅晶圆上涂敷胶体并划片取样的方法，其特征是：

划取的对象是碳化硅4吋、6吋、8吋的晶圆或者大于2cm*2cm的碳化硅残片。

2.如权利要求1所述的碳化硅晶圆上涂敷胶体并划片取样的方法，其特征是：在所述划取的对象上涂敷有机胶体，涂胶厚度大于管芯内图形的高低差，有机胶体完全覆盖并包裹表面高低不平的图形。

3.如权利要求1所述的碳化硅晶圆上涂敷胶体并划片取样的方法，其特征是：有机胶体的粘性小于等于14cp。

4.如权利要求2所述的碳化硅晶圆上涂敷胶体并划片取样的方法，其特征是：将片子放入机械划片机中，通过刀片在晶圆正面切割，将目标部分晶圆划切出来。

5.如权利要求4所述的碳化硅晶圆上涂敷胶体并划片取样的方法，其特征是：将划完的残片放入盛有胶体溶解剂的容器中浸泡或冲洗，让有机胶体溶解于溶剂中以达到去胶的目的。