[发明专利]多晶硅层的制造方法、显示装置及显示装置的制造方法

权利要求书

1.一种多晶硅层的制造方法，包括如下步骤：

在基板上形成非晶硅层；

对所述非晶硅层掺杂杂质；

利用氢氟酸清洗所述非晶硅层；

利用添加有氢的去离子水冲洗所述非晶硅层；以及

向所述非晶硅层照射激光束而形成多晶硅层。

2.根据权利要求1所述的多晶硅层的制造方法，其中，

所述杂质是磷，并掺杂在所述非晶硅层的整个表面。

3.根据权利要求2所述的多晶硅层的制造方法，其中，

所述杂质通过离子注入法进行掺杂，

所述杂质的剂量为每1cm³中1.0e¹²至1.0e¹³个。

4.根据权利要求2所述的多晶硅层的制造方法，其中，

在所述非晶硅层上形成有自然氧化膜，

所述杂质诱导所述非晶硅层的硅与所述自然氧化膜的氧的结合，从而在所述自然氧化膜与所述非晶硅层之间形成硅氧化膜。

5.根据权利要求4所述的多晶硅层的制造方法，其中，

所述自然氧化膜在所述非晶硅层的清洗步骤中被去除，

所述硅氧化膜不被去除。

6.根据权利要求1所述的多晶硅层的制造方法，其中，

所述氢氟酸包括0.5％的氟化氢。

7.根据权利要求1所述的多晶硅层的制造方法，其中，

所述非晶硅层被清洗40秒至54秒期间。

8.根据权利要求1所述的多晶硅层的制造方法，其中，

添加有所述氢的去离子水的氢浓度为1.0ppm。

9.根据权利要求1所述的多晶硅层的制造方法，其中，

所述激光束的能量密度为450mJ/cm²至500mJ/cm²。

10.根据权利要求1所述的多晶硅层的制造方法，其中，

所述激光束的宽度为480μm，

所述激光束的扫描间距为9μm至30μm。

11.根据权利要求1所述的多晶硅层的制造方法，其中，

所述多晶硅层的表面粗糙度的有效值为4nm以下。

12.根据权利要求1所述的多晶硅层的制造方法，其中，

在所述多晶硅层的表面形成有凸起，所述凸起具有末端尖锐的形状。

13.根据权利要求1所述的多晶硅层的制造方法，其中，

所述多晶硅层的晶粒随机排列。

14.一种显示装置，包括：

基板；

薄膜晶体管，布置于所述基板上；以及

显示元件，布置于所述薄膜晶体管上，

其中，所述薄膜晶体管包括：

有源图案，布置于所述基板上；

栅极绝缘膜，布置于所述有源图案上；以及

栅极电极，布置于所述栅极绝缘膜上，

所述有源图案的表面粗糙度的有效值为4nm以下，

在所述有源图案与所述栅极绝缘膜之间还布置有硅氧化膜。

15.根据权利要求14所述的显示装置，其中，

所述有源图案包括源极区域、漏极区域以及形成在所述源极区域与所述漏极区域之间的沟道区域。

16.根据权利要求15所述的显示装置，其中，

所述栅极电极与所述有源图案的所述沟道区域重叠。