[发明专利]一种图形化激光掺杂方法和装置

说明书

一种图形化激光掺杂方法和装置，属于光伏领域。图形化激光掺杂方法，包括：对目标图形进行分组，以形成至少两类图形；其中的，分组方法包括根据目标图形中各图形的掺杂时长，至少将具有相同掺杂时长的图形记为一类图形；对应于至少两类图形，在至少两个工序分别独立地通过激光对硅片进行激光掺杂。该掺杂方法可以缩短选择性发射极的制作周期。

技术领域

本申请涉及光伏领域，具体而言，涉及一种图形化激光掺杂方法和装置。

背景技术

在单晶PERC电池片的生产过程中，作为低成本且关键的提效工序，SE(SelectiveEmitter，简称选择性发射极)起着至关重要的作用。

SE电池的主要特点是在金属化区域进行高浓度的磷掺杂，并且在光照区域进行低浓度的磷掺杂。

SE的主要实现方式是：将硅片扩散后形成的PSG层作为杂质源进行掺杂处理，根据金属化图形，以SE激光驱入的方式实现局部重扩散。

但是，由于目前的技术发展方向为高方阻的密栅线。而栅线越多，则SE工序的打标时间就越长。因此，SE工序的提速迫在眉睫。

发明内容

本申请提供了一种图形化激光掺杂方法和装置，其可以部分或全部地改善、甚至解决相关技术中的Se工序速度低的问题。

本申请是这样实现的：

在第一方面，本申请的示例提供了一种图形化激光掺杂方法，其包括：对目标图形进行分组，以形成至少两类图形；其中的分组方法包括根据目标图形中各图形的掺杂时长，至少将具有相同掺杂时长的图形记为一类图形；对应于至少两类图形，在至少两个工序分别独立地通过激光对硅片进行激光掺杂。

由于不同的图形的掺杂时长不同，因此，在对不同的图形进行激光掺杂时需要对应地调整工艺。并且，由于目标图形中的各种/类图形的分散地分布的。因此，在对针对根据目标图形进行激光掺杂时，需要频繁地在不同的工艺参数之间进行调整，而在这些工艺调整器件，并不能进行有效的激光掺杂操作，从而导致整个激光掺杂过程中会存在一些“无效”的时间和操作。由此，由于激光掺杂难以“连续”地进行，从使得完成一个完整的目标图形的激光掺杂的周期较长。

而本申请方案，通过对目标图形中的各种图形按照掺杂时间进行分类(同一类型的图形的掺杂时间接近或大致相同或相等；不同类的图形掺杂时间差异大)。在目标图形被分类后，根据分类后的图形，激光掺杂时，完成一类图形之后再对另一类图形进行操作，从而可以有效地减少在不同类图形的激光掺杂工艺之间的调整时间，进而实质上缩短了根据整个目标图形进行激光掺杂的周期。

简言之，由于本申请示例方案的激光掺杂周期更短，因此，在相同的时间内，本申请示例方案可以实现对更多的目标图形的激光掺杂，从而取得了更高的激光掺杂速度。

根据本申请的一些示例，目标图形包括mark点、副栅线、防断栅和分段主栅中的任意一种或多种；

可选地，mark点包括圆环mark、实心mark和十字mark中的任意一种或多种。

根据本申请的一些示例，目标图形包括mark点和副栅线，且至少两类图形包括由mark点构成的第一类图形、由副栅线构成的第二类图形。

根据本申请的一些示例，对应于至少两类图形，在至少两个工序分别独立地通过激光对硅片进行激光掺杂的方法包括：

先按照第一类图形，通过激光对硅片进行掺杂；然后再按照第二类图形，通过激光对硅片进行掺杂。

根据本申请的一些示例，目标图形包括mark点、副栅线和防断栅线，且至少两类图形包括由mark点和防断栅线构成的第三类图形、由副栅线构成的第四类图形；