[发明专利]一种图形化激光掺杂方法和装置在审
申请号: | 202111521815.0 | 申请日: | 2021-12-13 |
公开(公告)号: | CN114267750A | 公开(公告)日: | 2022-04-01 |
发明(设计)人: | 朱波;彭彪;顾峰;胡艳玲 | 申请(专利权)人: | 通威太阳能(安徽)有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L21/268 |
代理公司: | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人: | 付兴奇 |
地址: | 230088 安徽省合*** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 图形 激光 掺杂 方法 装置 | ||
1.一种图形化激光掺杂方法,其特征在于,包括:
对目标图形进行分组,以形成至少两类图形,所述分组的方法包括根据所述目标图形中各图形的掺杂时长,至少将具有相同掺杂时长的图形记为一类图形;
对应于所述至少两类图形,在至少两个工序分别独立地通过激光对硅片进行激光掺杂。
2.根据权利要求1所述的图形化激光掺杂方法,其特征在于,所述目标图形包括mark点、副栅线、防断栅和分段主栅中的任意一种或多种;
可选地,所述mark点包括圆环mark、实心mark和十字mark中的任意一种或多种。
3.根据权利要求1所述的图形化激光掺杂方法,其特征在于,所述目标图形包括mark点和副栅线,且所述至少两类图形包括由所述mark点构成的第一类图形、由所述副栅线构成的第二类图形。
4.根据权利要求3所述的图形化激光掺杂方法,其特征在于,对应于所述至少两类图形,在至少两个工序分别独立地通过激光对硅片进行激光掺杂的方法包括:
先按照所述第一类图形,通过激光对硅片进行掺杂;然后再按照所述第二类图形,通过激光对硅片进行掺杂。
5.根据权利要求1所述的图形化激光掺杂方法,其特征在于,所述目标图形包括mark点、副栅线和防断栅线,且所述至少两类图形包括由所述mark点和防断栅线构成的第三类图形、由所述副栅线构成的第四类图形;
或者,所述目标图形包括mark点、副栅线和防断栅线,且所述至少两类图形包括由所述mark点和防断栅线构成的第五类图形、由所述防断栅线构成的第六类图形、由所述副栅线构成的第七类图形。
6.根据权利要求5所述的图形化激光掺杂方法,其特征在于,对应于所述至少两类图形,在至少两个工序分别独立地通过激光对硅片进行激光掺杂的方法包括:
先按照所述第三类图形,通过激光对硅片进行掺杂;然后再按照所述第四类图形,通过激光对硅片进行掺杂。
7.根据权利要求5所述的图形化激光掺杂方法,其特征在于,对应于所述至少两类图形,在至少两个工序分别独立地通过激光对硅片进行激光掺杂的方法包括:
先按照所述第五类图形,通过激光对硅片进行掺杂;然后再按照所述第六类图形,通过激光对硅片进行掺杂;随后再按照所述第七类图形,通过激光对硅片进行掺杂。
8.根据权利要求1或4或6或7所述的图形化激光掺杂方法,其特征在于,所述图形化激光掺杂方法还包括:
在对应于所述至少两类图形,在至少两个工序分别独立地通过激光对硅片进行激光掺杂之前,对所述硅片进行定位;
可选地,所述定位的方法包括对硅片拍照并根据拍照结果进行硅片定位;
可选地,所述拍照的操作由一个相机一次照相完成。
9.一种图形化激光掺杂装置,用于实施如权利要求1至8中任意一项所述的图形化激光掺杂方法,其特征在于,所述装置包括:
可转动的载物台,具有通过转动可调的拍照工位、至少两个激光操作工位;
相机,对置并远离所述载物台;
能够基于所述载物台预定位的至少两个激光操作器,对置并远离所述载物台;
所述至少两个激光操作器各自独立地配置,且分别对应于所述至少两个激光操作工位。
10.一种图形化激光掺杂装置,用于实施如权利要求1至8中任意一项所述的图形化激光掺杂方法,其特征在于,所述装置包括:
可转动的载物台,具有通过转动可调的拍照工位、至少两个激光操作工位;
相机,对置并远离所述载物台;
能够基于所述载物台预定位的激光操作器,对置并远离所述载物台;
所述激光操作器以可转动的方式布置,且能够通过转动而对应于所述至少两个激光操作工位被操作。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于通威太阳能(安徽)有限公司,未经通威太阳能(安徽)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202111521815.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的