[发明专利]一种发光芯片及其制备方法

说明书

本发明涉及一种发光芯片及其制备方法，该发光芯片包括：外延层；以及设置于外延层上的电极结构；电极结构中的至少一个包括：设置于外延层上的反射层；至少包覆反射层侧表面且与外延层接触的保护层，保护层与外延层之间的粘附性大于反射层与外延层之间的粘附性；设置于反射层上且远离外延层的一侧的电子传输层；设置于电子传输层上且远离外延层的一侧的电子阻挡层；该电极结构通过取消了设置于外延层和反射层之间的黏附层，提升了电极结构的反射率，从而提升了包括该电极结构的发光芯片的芯片亮度，还通过设置保护层与半导体层接触，提升了电极结构与外延层之间的粘附性，从而提升发光芯片的可靠性。

技术领域

本发明涉及半导体工艺领域，尤其涉及一种发光芯片及其制备方法。

背景技术

目前，致力于开发更加高效、可靠、安全、耐用的新型光源。LED(Light EmittingDiode，发光二极管)以其固有的优势吸引着全世界的目光，怎么把LED做更亮是我们需要不断去优化的课题。传统的倒装LED的电极结构，一般有如下几部分构成：黏附层，反射层，阻挡层，电子传输层。其中反射层一般采用Al层，黏附层采用Cr或者Ni电极，但是无论是采用Cr层或是Ni层，相比与Al电极，CrAl电极或NiAl电极的反射率均比Al电极的反射率要低很多。例如，传统的电极结构层为CrAlTiPtAuTiPtTi，前面增加的Cr层虽然很薄，一般是但是会导致反射率降低5％-15％，整个LED的亮度会因此降低。

因此，如何提升发光芯片的亮度是亟需解决的问题。

发明内容

鉴于上述相关技术的不足，本申请的目的在于提供一种发光芯片及其制备方法，旨在解决相关技术中，发光芯片亮度低的问题。

一种发光芯片，其特征在于，所述发光芯片包括：

外延层；

以及设置于所述外延层上的电极结构；

所述电极结构中的至少一个包括：

设置于所述外延层上的反射层；

至少包覆所述反射层侧表面且与所述外延层接触的保护层，所述保护层与所述外延层之间的粘附性大于所述反射层与所述外延层之间的粘附性；

设置于所述反射层上且远离所述外延层的一侧的电子传输层；

设置于所述电子传输层上且远离所述外延层的一侧的电子阻挡层。

上述发光芯片的电极结构通过取消了外延层和反射层之间的黏附层，消除了黏附层对反射层的反射率的影响，从而提升了电极结构的反射层的反射率，相应的，包括该电极结构的发光芯片的亮度也得到相应的提升，还通过设置粘附性强的保护层与外延层接触，提升了电极结构与外延层之间的粘附性，相应的，包括该电极结构的发光芯片的可靠性也增强了。

基于同样的发明构思，本申请还提供一种如上所述的发光芯片的制备方法，包括：

制作所述外延层；

在所述外延层上形成所述电极结构；

所述在所述外延层上形成所述电极结构包括：

在所述外延层上形成与所述外延层接触的所述反射层；

在所述反射层上形成所述保护层；

在所述反射层远离所述外延层的一侧形成所述电子传输层；

以及在所述电子传输层远离所述外延层的一侧形成所述电子阻挡层。