[发明专利]一种转移辅助板、芯片转移方法和显示面板在审
申请号: | 202111315862.X | 申请日: | 2021-11-08 |
公开(公告)号: | CN116093126A | 公开(公告)日: | 2023-05-09 |
发明(设计)人: | 王斌;萧俊龙;汪楷伦;范春林;汪庆 | 申请(专利权)人: | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/00;H01L33/62 |
代理公司: | 深圳鼎合诚知识产权代理有限公司 44281 | 代理人: | 李发兵 |
地址: | 402760 重庆市璧*** | 国省代码: | 重庆;50 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 转移 辅助 芯片 方法 显示 面板 | ||
本发明涉及一种转移辅助板、芯片转移方法和显示面板。转移辅助板包括基板主体,厚度不小于待转移芯片的高度;芯片容置区域,设于基板主体上,芯片容置区域的深度不小于待转移芯片的高度,横截面积不小于待转移芯片的最大横截面积,芯片容置区域用于与接收基板配合容置待转移芯片;多个芯片阻挡部,各芯片阻挡部设于基板主体上且与芯片容置区域的位置对应,芯片阻挡部能够阻挡芯片容置区域的入口,以使待转移芯片无法通过入口进出芯片容置区域。只需利用芯片阻挡部对当前无需转移芯片的位置进行阻挡,在流体转移中也无需对芯片或接收基板的结构进行额外的差异化设计来实现选择,使得芯片以及接收基板的工艺复杂性低,利于量产。
技术领域
本发明涉及芯片转移领域,尤其涉及一种转移辅助板、芯片转移方法和显示面板。
背景技术
Micro LED(Micro Light Emitting Diode,微型发光二极管)是新兴的显示技术,相对比常规的显示技术,以Micro LED技术为核心的显示具有响应速度快,自主发光、对比度高、使用寿命长、光电效率高等特点。
在Micro led产业技术中会将百万甚至千万级的LED(Light Emitting Diode,发光二极管)芯片,由生长基板经过至少一次转移到电路背板上。在流体转移方案中,通常是将芯片置于流体中,然后对流体施加振荡或控制其流动,使芯片落至对应的接收槽。然而,在流体转移方案中的选择性转移方案会增加不同芯片、背板制造难度,也使得工艺复杂性高,不利于量产,因此通常只有做单一颜色显示。
因此,如何在流体转移过程中实现简单高效的选择性转移是亟需解决的问题。
发明内容
鉴于上述相关技术的不足,本申请的目的在于提供一种转移辅助板、芯片转移方法和显示面板,旨在解决目前的流体转移方案中的选择性转移方案会增加不同芯片、背板制造难度,工艺复杂性,不利于量产的问题。
一种转移辅助板,包括:基板主体,厚度不小于待转移芯片的高度;
芯片容置区域,设于所述基板主体上,所述芯片容置区域的深度不小于所述待转移芯片的高度,横截面积不小于所述待转移芯片的最大横截面积,所述芯片容置区域用于与接收基板配合容置所述待转移芯片;
多个芯片阻挡部,各所述芯片阻挡部设于所述基板主体上且与所述芯片容置区域的位置对应,所述芯片阻挡部能够阻挡所述芯片容置区域的入口,以使所述待转移芯片无法通过所述入口进出所述芯片容置区域。
上述转移辅助板,通过芯片容置区域和芯片阻挡部配合,可使得待转移的芯片选择性的只落入未被芯片阻挡部阻挡的芯片容置区域,从而在流体转移的过程中也实现选择性的芯片转移,并且,利用本实施例的转移辅助板只需利用芯片阻挡部对当前无需转移芯片的位置进行阻挡,无需对芯片或接收基板的结构进行额外的差异化设计来实现选择,使得芯片以及接收基板的工艺复杂性低,利于量产。
可选地,所述芯片阻挡部与所述基板主体可活动连接,所述芯片阻挡部能够活动以在第一状态和第二状态下切换;
所述芯片阻挡部处于所述第一状态时,阻挡所述芯片容置区域的入口以使所述待转移芯片不能够进入对应的所述芯片容置区域;所述芯片阻挡部处于所述第二状态时,所述待转移芯片能够进入所述芯片容置区域。
可以理解的是,与基板主体可活动连接的芯片阻挡部可灵活的控制待转移芯片能够转移的区域,适用性好。
可选地,所述芯片阻挡部包括设于所述基板主体和所述阻挡物之间的弹性旋转件,所述弹性旋转件在外力作用下旋转并带动所述阻挡物转动,并在外力撤去后恢复。
可以理解的是,通过弹性旋转件可使芯片阻挡部的阻挡物恢复位置,在一些实施过程中可保证芯片阻挡部在不受外力驱动时处于统一的默认状态。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的