[发明专利]一种转移辅助板、芯片转移方法和显示面板在审
申请号: | 202111315862.X | 申请日: | 2021-11-08 |
公开(公告)号: | CN116093126A | 公开(公告)日: | 2023-05-09 |
发明(设计)人: | 王斌;萧俊龙;汪楷伦;范春林;汪庆 | 申请(专利权)人: | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/00;H01L33/62 |
代理公司: | 深圳鼎合诚知识产权代理有限公司 44281 | 代理人: | 李发兵 |
地址: | 402760 重庆市璧*** | 国省代码: | 重庆;50 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 转移 辅助 芯片 方法 显示 面板 | ||
1.一种转移辅助板,其特征在于,包括:
基板主体,厚度不小于待转移芯片的高度;
芯片容置区域,设于所述基板主体上,所述芯片容置区域的深度不小于所述待转移芯片的高度,横截面积不小于所述待转移芯片的最大横截面积,所述芯片容置区域用于与接收基板配合容置所述待转移芯片;
多个芯片阻挡部,各所述芯片阻挡部设于所述基板主体上且与所述芯片容置区域的位置对应,所述芯片阻挡部能够阻挡所述芯片容置区域的入口,以使所述待转移芯片无法通过所述入口进出所述芯片容置区域。
2.如权利要求1所述的转移辅助板,其特征在于,所述芯片阻挡部与所述基板主体可活动连接,所述芯片阻挡部能够活动以在第一状态和第二状态下切换;
所述芯片阻挡部处于所述第一状态时,阻挡所述芯片容置区域的入口以使所述待转移芯片不能够进入对应的所述芯片容置区域;所述芯片阻挡部处于所述第二状态时,所述待转移芯片能够进入所述芯片容置区域。
3.如权利要求2所述的转移辅助板,其特征在于,所述芯片阻挡部包括与所述基板主体旋转连接的阻挡物,所述阻挡物转动至预定姿态时不阻挡所述芯片容置区域的入口。
4.如权利要求3所述的转移辅助板,其特征在于,所述芯片阻挡部包括设于所述基板主体和所述阻挡物之间的弹性旋转件,所述弹性旋转件在外力作用下旋转并带动所述阻挡物转动,并在外力撤去后恢复。
5.如权利要求3所述的转移辅助板,其特征在于,所述转移辅助板包括至少两组所述芯片阻挡部,所述阻挡物在外力作用下转动,不同组的所述芯片阻挡部的所述阻挡物在不同大小的外力作用下转动至预定姿态。
6.如权利要求5所述的转移辅助板,其特征在于,所述阻挡物在外力作用下水平于所述基板主体旋转,不同组的所述芯片阻挡部的旋转轴在其对应的所述芯片容置区域的宽度方向和长度方向中的至少一个方向上的位置不同。
7.如权利要求1-6任一项所述的转移辅助板,其特征在于,所述芯片容置区域的深度小于所述待转移芯片的高度的两倍。
8.一种芯片转移方法,其特征在于,包括:
将权利要求1-7任一项所述的转移辅助板设于所述接收基板上,所述芯片容置区域与所述接收基板上设置芯片的区域的位置相对;
通过流体转移使所述待转移芯片落入未被阻挡的所述芯片容置区域内;
将所述接收基板上的所述待转移芯片与所述接收基板键合。
9.如权利要求8所述的芯片转移方法,其特征在于,所述芯片阻挡部包括至少两组,所述芯片阻挡部的阻挡物在外力作用下转动,不同组的所述芯片阻挡部的所述阻挡物在不同大小的外力作用下转动至预定姿态;所述通过流体转移使所述待转移芯片落入所述芯片容置区域内,包括:
控制所述流体的流速为第一速度,第一组所述芯片阻挡部的所述阻挡物在所述第一速度的所述流体的作用下转动至所述预定姿态,所述流体中携带第一组所述待转移芯片,第一组所述待转移芯片落入未被阻挡且未设有芯片的的所述芯片容置区域内;
控制所述流体的流速为第二速度,第一组所述芯片阻挡部的所述阻挡物以及第二组所述芯片阻挡部的所述阻挡物在所述第二速度的所述流体的作用下转动至所述预定姿态,所述流体中携带第二组所述待转移芯片,第二组所述待转移芯片落入未被阻挡且未设有芯片的所述芯片容置区域内。
10.一种显示面板,其特征在于,包括电路基板以及发光芯片;
所述发光芯片通过权利要求8-9任一项所述的芯片转移方法转移至所述电路基板的固晶区上并完成键合。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的