[发明专利]半导体器件和在半导体封装中使用标准化的载体的方法在审
| 申请号: | 202111287658.1 | 申请日: | 2014-12-05 |
| 公开(公告)号: | CN113990766A | 公开(公告)日: | 2022-01-28 |
| 发明(设计)人: | T.J.斯特罗思曼;D.M.普里科洛;沈一权;林耀剑;H-P.维尔茨;尹胜煜;P.C.马里穆图 | 申请(专利权)人: | 新科金朋有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L21/50;H01L21/78;H01L23/31;H01L23/498 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 申屠伟进;陈岚 |
| 地址: | 新加坡*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 半导体器件 半导体 封装 使用 标准化 载体 方法 | ||
1.一种制作半导体器件的方法,包括:
提供半导体晶片,所述半导体晶片包括形成在所述半导体晶片中的多个半导体管芯;
分割所述半导体晶片,其中所述多个半导体管芯中的每个半导体管芯被分离;
在从所述半导体晶片分割所述半导体管芯之后,将所述半导体管芯设置在载体上;
在所述半导体管芯和载体上面沉积密封剂以覆盖每个半导体管芯的背面表面和侧表面;
在沉积所述密封剂之后在每个半导体管芯上面形成扇入互连结构,其中每个扇入互连结构完全包含在相应半导体管芯的占用面积内;和
在形成所述扇入互连结构之后经过所述密封剂分割所述半导体管芯。
2.如权利要求1所述的方法,还包括背面研磨所述密封剂以暴露所述半导体管芯的背面表面。
3.如权利要求2所述的方法,还包括在所述半导体管芯的背面表面上面形成保护层。
4.如权利要求1所述的方法,还包括在所述扇入互连结构上面形成凸块下金属化层。
5.如权利要求1所述的方法,其中经过所述密封剂分割所述半导体管芯的步骤去除所述半导体管芯的一部分。
6.一种制作半导体器件的方法,包括:
提供半导体管芯;
在所述半导体管芯上面沉积密封剂以覆盖所述半导体管芯的全部背面表面和每个侧表面的全部;
在所述半导体管芯上面形成扇入互连结构,其中所述扇入互连结构包括从所述半导体管芯的接触焊盘扇入的导电再分布层,并且其中所述扇入互连结构完全包含在所述半导体管芯的占用面积内;
在所述扇入互连结构上面形成钝化层;和
在形成所述扇入互连结构之后经过所述密封剂分割所述半导体管芯。
7.如权利要求6所述的方法,其中在分割之后,所述密封剂的一部分保留在所述半导体管芯的侧表面上面。
8.如权利要求7所述的方法,其中所述钝化层物理地接触所述密封剂。
9.如权利要求6所述的方法,还包括去除在所述半导体管芯的背面表面上面的所述密封剂。
10.如权利要求9所述的方法,还包括在去除所述密封剂之后在所述半导体管芯的背面表面上面形成保护层。
11.一种半导体器件,包括:
半导体管芯,包括有源表面、与有源表面相对的背面表面以及从所述背面表面延伸到所述有源表面的四个侧表面;
密封剂,沉积在所述半导体管芯上面,其中所述密封剂的表面与所述半导体管芯的所述有源表面共面,其中所述密封剂完全覆盖所述半导体管芯的所有四个侧表面;和
扇入互连结构,形成在所述半导体管芯上面,其中所述扇入互连结构包括从所述半导体管芯的接触焊盘扇入的导电再分布层,并且其中所述扇入互连结构完全包含在所述半导体管芯的占用面积内。
12.如权利要求11所述的半导体器件,还包括形成在所述半导体管芯的背面表面上的保护层。
13.如权利要求11所述的半导体器件,其中所述密封剂沉积在所述半导体管芯的背面表面上。
14.如权利要求11所述的半导体器件,还包括形成在所述扇入互连结构上面的钝化层,其中所述钝化层完全包含在所述半导体管芯的占用面积内。
15.如权利要求11所述的半导体器件,还包括:钝化层,形成在所述扇入互连结构上面并且物理地接触所述密封剂。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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