[发明专利]半导体存储器装置以及包括其的电子系统

说明书

提供了半导体存储器装置和包括其的电子系统。所述半导体存储器装置包括：第一基底，包括背对的第一表面和第二表面；模制结构，包括堆叠在第一基底的第一表面上的多个栅电极；沟道结构，穿过模制结构；第一接触过孔，穿透第一基底；第二基底，包括背对的第三表面和第四表面；电路元件，在第二基底的第三表面上；第一贯穿过孔，穿过模制结构，连接第一接触过孔和电路元件，第一贯穿过孔包括第一导电图案以及将第一导电图案与模制结构分开的第一间隔膜；以及第二贯穿过孔，穿过模制结构且与第一贯穿过孔分隔开，第二贯穿过孔包括第二导电图案以及将第二导电图案与第一基底和模制结构分开的第二间隔膜。

技术领域

本公开涉及一种半导体存储器装置、一种包括该半导体存储器装置的电子系统和一种用于制造该半导体存储器装置的方法。更具体地，本公开涉及一种包括贯穿过孔的半导体存储器装置、一种包括该半导体存储器装置的电子系统以及一种用于制造该半导体存储器装置的方法。

背景技术

为了满足消费者对优异的性能和低廉的价格的需求，需要提高半导体存储器装置的集成度。对于半导体存储器装置来说，因为集成度是决定产品价格的重要因素，所以特别需要增加密度。

例如，对于二维(2D)或平面半导体存储器装置来说，集成度主要由单位存储器单元所占据的面积决定，因此受到精细图案形成技术的水平的极大影响。然而，由于图案的小型化需要极其昂贵的设备，因此2D半导体存储器装置的集成度可能不足。因此，已经提出了配备有三维布置的存储器单元的三维(3D)半导体存储器装置。

发明内容

根据本公开的一个方面，提供了一种半导体存储器装置，所述半导体存储器装置包括：第一基底，具有彼此背对的第一表面和第二表面；模制结构，包括顺序地堆叠在第一基底的第一表面上的多个栅电极；沟道结构，穿透模制结构并且与多个栅电极交叉；第一接触过孔，穿透第一基底；第二基底，包括面向第一表面的第三表面和与第三表面背对的第四表面；电路元件，在第二基底的第三表面上；第一贯穿过孔，穿透模制结构并且连接第一接触过孔和电路元件；以及第二贯穿过孔，与第一贯穿过孔分隔开并且穿透模制结构，其中，第一贯穿过孔包括第一导电图案，以及第一间隔膜，将第一导电图案与模制结构分开，并且第二贯穿过孔包括第二导电图案，以及第二间隔膜，将第二导电图案与第一基底和模制结构分开。

根据本公开的另一方面，提供了一种半导体存储器装置，所述半导体存储器装置包括：第一基底，包括彼此背对的第一表面和第二表面；模制结构，包括顺序地堆叠在第一基底的第一表面上的多个栅电极；沟道结构，穿透模制结构并且与多个栅电极交叉；第一贯穿过孔，包括第一导电图案，穿透模制结构，以及第一间隔膜，将第一导电图案与模制结构分开；第二贯穿过孔，包括第二导电图案，穿透模制结构，以及第二间隔膜，将第二导电图案与第一基底和模制结构分开；上绝缘膜，在第一基底的第二表面上；接触过孔沟槽，穿过上绝缘膜和第一基底并且暴露第一导电图案；接触过孔，包括：第三间隔膜，沿着接触过孔沟槽的侧表面延伸，以及第三导电图案，在第三间隔膜上连接到第一导电图案；输入-输出垫，连接到接触过孔，并且在上绝缘膜上；第二基底，包括面向第一表面的第三表面和与第三表面背对的第四表面；以及第一电路元件，连接到第一贯穿过孔，并且在第二基底的第三表面上。

根据本公开的又一方面，提供了一种电子系统，所述电子系统包括：主板；半导体存储器装置，在主板上；以及控制器，电连接到半导体存储器装置并且在主板上，其中，半导体存储器装置包括：第一基底，包括彼此背对的第一表面和第二表面；模制结构，包括顺序地堆叠在第一基底的第一表面上的多个栅电极；沟道结构，穿透模制结构并且与多个栅电极交叉；接触过孔，穿透第一基底并且电连接到控制器；第二基底，包括面向第一表面的第三表面和与第三表面背对的第四表面；电路元件，在第二基底的第三表面上；第一贯穿过孔，穿透模制结构并且连接接触过孔和电路元件；以及第二贯穿过孔，与第一贯穿过孔分隔开并且穿透模制结构，其中，第一贯穿过孔包括：第一导电图案；以及第一间隔膜，将第一导电图案与模制结构分开，并且第二贯穿过孔包括：第二导电图案；以及第二间隔膜，将第二导电图案与第一基底和模制结构分开。

附图说明