[发明专利]表贴式双面散热半导体功率器件的封装方法

权利要求书

1.一种表贴式双面散热半导体功率器件的封装方法，所述表贴式双面散热半导体功率器件的引线框架包括框架本体和多个横向设置于框架本体上的框架单元，每个所述框架单元包括一个基岛及独立设置于基岛底端的管脚组件，所述管脚组件包括多个并排设置的管脚，每个管脚靠近基岛的一端设置有管脚部，其特征在于，所述封装方法包括如下步骤：

提供引线框架及芯片；

焊锡膏上芯，通过焊锡膏将芯片焊接在引线框架各自对应的基岛上；

键合，将芯片与管脚部通过铜片相连并压焊；

清洗，对焊接有芯片和铜片的引线框架进行清洗；

塑封，采用塑封料将压焊后的引线框架进行封装，形成塑封体，且仅露出管脚；

研磨，对所述塑封体上表面进行研磨，露出顶部铜片作为散热片；

上锡，对所述塑封体外部的管脚以及外露的铜片进行电镀上锡；

切筋、测试及印字、包装出货。

2.根据权利要求1所述的表贴式双面散热半导体功率器件的封装方法，其特征在于：每个所述框架单元中的管脚数量为4个，各个所述管脚沿横向均匀分布，且各个所述管脚的宽度和厚度尺寸相同。

3.根据权利要求2所述的表贴式双面散热半导体功率器件的封装方法，其特征在于：每个所述框架单元中各个管脚部之间相互独立、或者两个相邻管脚部连接、或者三个相邻管脚部连接。

4.根据权利要求1所述的表贴式双面散热半导体功率器件的封装方法，其特征在于：所述键合步骤中，所述铜片的一端与芯片在第一焊接位焊接，另一端与管脚部在第二焊接位焊接，所述铜片的上表面为平面，且在焊接位置处向下凸出，所述铜片的底部与芯片在第三焊接位焊接，所述第三焊接位设置于第一焊接位和第二焊接位之间，且所述铜片在第三焊接位和第一焊接位处的凸出高度相等。

5.根据权利要求1所述的表贴式双面散热半导体功率器件的封装方法，其特征在于：所述清洗步骤中，采用等离子清洗机对焊接有芯片和铜片的引线框架进行清洗。

6.根据权利要求1所述的表贴式双面散热半导体功率器件的封装方法，其特征在于：所述塑封步骤中，所述塑封料采用环氧塑封料。

7.根据权利要求1或6所述的表贴式双面散热半导体功率器件的封装方法，其特征在于：所述塑封步骤中，还包括塑封后的固化处理，固化温度为175℃，固化时间为8h。

8.根据权利要求1所述的表贴式双面散热半导体功率器件的封装方法，其特征在于：所述研磨步骤之后和上锡步骤之前，还包括筛选步骤，所述筛选步骤通过回流焊工艺进行筛选。

9.根据权利要求1所述的表贴式双面散热半导体功率器件的封装方法，其特征在于：所述上锡步骤之后和切筋步骤之前，还包括冷热冲击试验步骤，所述冷热冲击试验步骤通过冷热冲击试验箱进行冷热冲击测试。

10.根据权利要求1所述的表贴式双面散热半导体功率器件的封装方法，其特征在于：所述封装方法适用于封装二极管芯片、MOSFET芯片及IGBT芯片。