[发明专利]一种抗辐照封装结构及方法

权利要求书

1.一种抗辐照封装结构，其特征在于：包括具有抗辐照功能的内嵌外壳、以及用于对待塑封器件进行塑封的第一塑封件和第二塑封件；

所述内嵌外壳倒扣在第一塑封件的外表面，且内嵌外壳与待塑封器件固定连接；所述第二塑封件包裹着内嵌外壳。

2.根据权利要求1所述的抗辐照封装结构，其特征在于：所述内嵌外壳与第一塑封件之间设有塑料亲和层，所述内嵌外壳和第二塑封件之间也设有塑料亲和层。

3.根据权利要求2所述的一种抗辐照封装结构，其特征在于：所述塑料亲和层的材料为银或者铜。

4.根据权利要求3所述的抗辐照封装结构，其特征在于：所述待塑封器件包括基板、引脚、芯片以及键合线；

所述芯片与基板固定连接，所述芯片与所述引脚之间通过键合线互联；

所述芯片和所述键合线设置于所述第一塑封件内。

5.根据权利要求4所述的抗辐照封装结构，其特征在于：所述内嵌外壳的材料为高序数金属，当所述内嵌外壳的材料为高序数金属时，所述内嵌外壳与所述待塑封器件通过焊膏固定连接，所述焊膏的材料则为绝缘材料。

6.根据权利要求4所述的抗辐照封装结构，其特征在于：所述内嵌外壳的材料为宽紧带半导体。

7.根据权利要求5所述的抗辐照封装结构，其特征在于：塑料亲和层的厚度在150nm到600um范围内。

8.根据权利要求7所述的抗辐照封装结构，其特征在于：所述内嵌外壳的厚度在0.5um-1.5mm范围内。

9.根据权利要求8所述的抗辐照封装结构，其特征在于：所述内嵌外壳分别与基板和引脚通过焊膏固定连接，所述焊膏的焊层厚度在40um-350um范围内。

10.一种抗辐照封装方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一、将芯片固定连接在基板上；

步骤二、利用键合线，将芯片的电极与引脚进行连接；

步骤三、进行第一次塑封，形成第一塑封件，第一塑封件的塑封区域横向包括但不限于芯片和键合线的尾部，纵向上要高于键合线拱起的最高点；

步骤四、在内嵌外壳的表面生长一层的塑料亲和层，对应的材料为银或者铜；

步骤五、将内嵌外壳倒扣在第一塑封件的外表面上，内嵌外壳的材料为宽紧带半导体或者高序数金属；

步骤六、将内嵌外壳与基板和引脚的接触区域进行固定连接；

步骤七、进行第二次塑封，将内嵌外壳包裹起来，形成第二塑封件，所述第二塑封件的塑封区域横向左侧应不超过基板区域，右侧引脚区域留下足够的电路接触距离，纵向上高于内嵌外壳的上表面；

步骤八、对整体进行降温，使其凝固，最后器件成型。