[发明专利]半导体装置

说明书

第一电源端子（P）具有：内部布线连接部（31A）、与内部布线连接部（31A）结合的立起部（31B）、与立起部（31B）结合的倾斜部（31C）、以及与倾斜部（31C）结合的外部布线连接部（31D）。第二电源端子（N）具有：内部布线连接部（32A）、与内部布线连接部（32A）结合的立起部（32B）、与立起部（32B）结合的倾斜部（32C）、以及与倾斜部（32C）结合的外部布线连接部（32D）。第一电源端子（P）的立起部（31B）和第二电源端子（N）的立起部（32B）被配置为空开规定的间隔彼此相向。

技术领域

本发明涉及功率模块等半导体装置。

背景技术

功率模块为将一对开关元件与电源串联连接而从该一对开关元件之间得到输出的装置。这样的功率模块例如被用于构成用于对电动机进行驱动的驱动电路的逆变器（inverter）电路。电动机例如被用作电动汽车（包含混合动力汽车）、电车、产业用机器人等的动力源。功率模块此外也被应用于将太阳能电池、风力发电机等发电装置（特别是自用发电装置）产生的功率变换以使与商用电源的功率匹配的逆变器电路。

在功率模块的开关元件中以往使用使用了Si（硅）半导体的器件。可是，在功率变换时的器件中的损失成为问题，关于使用了Si材料的器件，进一步高效率化已经到困难的状况。

因此，提出了将使用了SiC（碳化硅）半导体的功率器件用作开关元件的功率模块。关于SiC功率器件，开关速度为高速，因此，能够进行高速的导通/关断工作。因此，由于在关断时电流迅速地减少，所以能够减少开关损失。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2003-133515号公报；

专利文献2：日本特开2004-95769号公报。

发明内容

发明要解决的课题

可是，利用SiC功率器件的高速开关带来开关时的浪涌电压（surge voltage）增加这样的新的问题。

浪涌电压V如下式（A）所示那样由功率模块内部的布线所具有的自感L和电流i的根据时间t的微分（di/dt）（平均时间的电流变化率）的积提供。

V=L·（di/dt） ……（A）。

开关速度越快，电流i的变化率（di/dt）越大，因此，浪涌电压V越大。由于该浪涌电压，当耐压以上的电压被负载于器件时，存在器件被破坏的可能性。此外，当浪涌电压大时，也存在EMI（电磁干扰）噪声增大或可靠性降低的担忧。

因此，一边应用SiC器件等高速开关元件，一边为了减少浪涌电压而需要减少功率模块的内部布线所具有的自感L。该课题不仅仅在功率模块中而且在具有开关元件的半导体装置中是共同的。当然，在具有使用了Si半导体的开关元件的半导体装置中，浪涌电压的减少也为重要的课题。

本发明的目的在于提供一种能够实现内部布线的自感小的功率模块的半导体装置。

用于解决课题的方案

本发明的第一半导体装置包含：在平面视中在规定的一个方向上相邻配置的第一和第二电源端子、在平面视中相对于所述第一和第二电源端子而在与所述一个方向正交的方向上隔开间隔配置的输出端子、包含电连接于所述第一电源端子与所述输出端子之间的第一开关元件的第一电路、以及包含电连接于所述输出端子与所述第二电源端子之间的第二开关元件的第二电路。