[发明专利]一种可实现芯片自毁的芯片附属装置及其控制方法

说明书

本发明提供了一种可实现芯片自毁的芯片附属装置及其控制方法，芯片附属装置包括基板和电性集成在基板上的自毁模块，基板固定设置于目标芯片所在的系统电路中，并与系统电路电性连接；自毁模块包括与目标芯片接触的激发单元，激发单元通过密封部件与目标芯片形成密闭空间；激发单元上设置有能够以预设方式激发导通的加热电路，加热电路上涂敷有受热能够发生燃爆反应的含能材料并面向目标芯片。本发明提供的芯片附属装置在不改动原有系统电路结构基础上，通过激发电路导通加热电路并释放热量，使含能材料受热发生剧烈的燃爆反应，对目标芯片产生强大的冲击，致使目标芯片产生贯穿性或粉碎性的损毁效果。

技术领域

本发明涉及信息安全和集成电路领域，具体而言，涉及一种可实现芯片自毁的芯片附属装置及其控制方法。

背景技术

随着现代信息技术的高速发展，各类基于硅基半导体材料的微芯片和微机电系统器件在军民信息电子领域获得广泛地应用，其涉及到信息获取、分析、存储、传输等各个环节，核心部件为包含了关键技术或信息的核心芯片。

如果载有这类核心芯片的信息设备发生丢失、被窃等意外时，就有可能会导致关键技术或重要信息被窃取泄密，因此需要在产品中增加相应的自毁功能，以确保核心芯片能够在紧急情况下被及时、可靠地销毁。但对于已定型产品而言，在芯片内部设计自毁结构无异于开发新的芯片器件，增加了产品开发难度。如果能不改变核心芯片内部结构，仅对原有电路系统进行小幅度改动，通过增加具有自毁功能的模块就能够实现对核心芯片的可控自毁功能，这将会有效扩展自毁技术的应用。

目前针对芯片自毁多采用瞬间强脉冲电流击穿芯片电路致使其电学功能丧失，但芯片的物理结构损毁不彻底，存储信息仍有部分恢复的可能性。只有采用物理或化学方法彻底损毁芯片的物理结构或功能层才能确保芯片被彻底毁坏，信息不可恢复。

因此，需要一种无需改变核心芯片内部结构即可物理损毁芯片的方案能够解决上述问题。

发明内容

基于现有技术存在的问题，本发明提供了一种可实现芯片自毁的芯片附属装置及其控制方法。具体方案如下：

一种可实现芯片自毁的芯片附属装置，包括基板和电性集成在所述基板上的自毁模块，所述基板固定设置于目标芯片所在的系统电路中，并与所述系统电路电性连接；

所述自毁模块包括与所述目标芯片接触的激发单元，所述激发单元通过密封部件与所述目标芯片形成密闭空间；

所述激发单元上设置有能够以预设方式激发导通的加热电路，所述加热电路上涂敷有受热能够发生燃爆反应的含能材料，通过激发导通所述加热电路进行加热，以激发所述含能材料发生燃爆反应，进而在所述密闭空间内摧毁所述目标芯片。

在一个具体实施例中，所述加热电路包括电极焊盘、导线和加热元件；

所述加热元件的两端各连接一个所述导线；

所述导线的一端连接所述加热元件，另一端连接所述电极焊盘。

在一个具体实施例中，所述自毁模块还包括防止误触发的触发单元，所述触发单元与所述激发单元电性连接；

所述触发单元中设置有电源隔离开关或保险丝。

在一个具体实施例中，还包括采集模块和控制模块，所述控制模块电性集成在所述基板上；

所述控制模块分别连接所述采集模块和所述自毁模块，用以根据所述采集模块采集的信息控制所述自毁模块的运行。

在一个具体实施例中，所述采集模块中集成有光敏二极管，所述控制模块中集成有三极管开关、功率三极管和串联电阻；

所述三极管开关的基极连接所述光敏二极管的正极，发射极连接所述串联电阻和功率三极管的基极，集电极连接所述光敏二极管的负极和所述功率三极管的发射极。