[发明专利]一种可实现芯片自毁的芯片附属装置及其控制方法

权利要求书

1.一种可实现芯片自毁的芯片附属装置，其特征在于，包括基板和电性集成在所述基板上的自毁模块，所述基板固定设置于目标芯片所在的系统电路上，并与所述系统电路电性连接；

所述自毁模块包括与所述目标芯片接触的激发单元，所述激发单元通过密封部件与所述目标芯片形成密闭空间；

所述激发单元上设置有能够以预设方式激发导通的加热电路，所述加热电路上涂敷有受热能够发生燃爆反应的含能材料，通过激发导通所述加热电路进行加热，以激发所述含能材料发生燃爆反应，进而在所述密闭空间内摧毁所述目标芯片。

2.根据权利要求1所述的芯片附属装置，其特征在于，所述加热电路包括电极焊盘、导线和加热元件；

所述加热元件的两端各连接一个所述导线；

所述导线的一端连接所述加热元件，另一端连接所述电极焊盘。

3.根据权利要求1所述的芯片附属装置，其特征在于，所述自毁模块还包括防止误触发的触发单元，所述触发单元与所述激发单元电性连接；

所述触发单元中设置有电源隔离开关或保险丝。

4.根据权利要求1所述的芯片附属装置，其特征在于，还包括采集模块和控制模块，所述控制模块电性集成在所述基板上；

所述控制模块分别连接所述采集模块和所述自毁模块，用以根据所述采集模块采集的信息控制所述自毁模块的运行。

5.根据权利要求4所述的芯片附属装置，其特征在于，所述采集模块中集成有光敏二极管，所述控制模块中集成有三极管开关、功率三极管和串联电阻；

所述三极管开关的基极连接所述光敏二极管的正极，发射极连接所述串联电阻和功率三极管的基极，集电极连接所述光敏二极管的负极和所述功率三极管的发射极。

6.根据权利要求5所述的芯片附属装置，其特征在于，在光强度小于50lux时，所述光敏二极管的电阻值降低，导通所述三极管开关，进一步导通所述功率三极管，进而启动所述自毁模块。

7.根据权利要求4所述的芯片附属装置，其特征在于，所述采集模块包括光敏传感器、和/或力敏传感器、和/或重力传感器；

和/或所述含能材料包括斯蒂芬酸铅溶胶和铝热剂。

8.一种可实现芯片自毁的芯片附属装置的控制方法，其特征在于，适用于权利要求1-7任一项所述的芯片附属装置，控制方法包括如下：

自毁模块电性集成在基板上，将所述基板固定设置在目标芯片的系统电路中，激发单元通过密封部件与所述目标芯片形成密闭空间，且涂敷有含能材料的加热电路朝向所述目标芯片；

满足预设自毁条件后，在所述激发单元上以预设方式激发导通所述加热电路；

经所述加热电路加热到预设温度后，所述加热电路上涂敷的含能材料发生燃爆反应，在所述密闭空间内形成冲击，摧毁所述目标芯片。

9.根据权利要求8所述的控制方法，其特征在于，所述芯片附属装置还包括触发装置、采集装置和控制装置，所述控制方法还包括：

通过所述采集模块采集系统电路的信息，并发送给所述控制装置；

所述控制模块分析所述采集模块采集的信息，在满足预设自毁条件后，发出自毁指令；

解除所述触发装置的误触发设置，激发所述激发模块自毁。

10.根据权利要求9所述的控制方法，其特征在于，所述采集模块中集成有光敏二极管，所述控制模块中集成有三极管开关、功率三极管和串联电阻；

在光强度小于50lux时，所述光敏二极管的电阻值降低，导通所述三极管开关，进一步导通所述功率三极管，进而启动所述自毁模块。