[发明专利]晶圆、晶圆结构以及晶圆的制造方法

说明书

本申请涉及一种晶圆、晶圆结构以及晶圆的制造方法。其中，该晶圆包括：衬底；堆叠结构，设置在衬底上，并且包括依次叠置的介质层和绝缘层，在介质层中设置有阻挡层；以及键合层，设置在堆叠结构的远离衬底的表面上，其中，在表面设置有至少一个对准标记结构；其中，阻挡层在衬底上的投影覆盖对准标记结构在衬底上的投影。

技术领域

本申请涉及半导体制造领域，更具体地，涉及一种晶圆、晶圆结构以及晶圆的制造方法。

背景技术

在半导体领域，晶圆(wafer)是最重要的一种初级产品。半导体厂商基本都要基于晶圆来制造各种类型的半导体器件。特别地，现有的三维闪存(3demension NAND flashmemory，简称3D NAND)的X堆叠(X-stacking)构架中，晶圆及晶圆键合(Bonding)的对准精度对生产良率影响巨大。

晶圆键合技术是指将两块经过抛光的晶圆紧密粘接在一起的技术。上下晶圆键合时，首先需要进行上下晶圆的对准。在现有技术中，通常利用金属对准标记结构对光的反射来进行晶圆对准。

但是由于3D NAND的堆叠构架中堆叠层数越来越多，晶圆前层对反射信号的影响越来越大，这降低了晶圆的对准精度，严重影响了上下晶圆的电连接性能，也降低了产品良率。

因此，需要一种晶圆以至少部分地解决现有技术中的上述问题。

应当理解，该背景技术部分旨在部分地为理解该技术提供有用的背景。然而，该背景技术部分也可以包括在本文中所公开的主题的相应有效申请日之前不属于相关领域的技术人员已知或理解的内容的一部分的观点、构思或认识。

发明内容

为了解决或部分解决现有技术中存在的上述问题中的至少一个，本申请提供了一种晶圆、晶圆结构以及晶圆的制造方法。

根据本申请的一个方面，提供了一种晶圆，该晶圆包括：衬底；堆叠结构，设置在衬底上，并且包括依次叠置的介质层和绝缘层，其中，在堆叠结构中还设置有阻挡层；以及键合层，设置在堆叠结构的远离衬底的表面上，其中，在表面设置有至少一个对准标记结构。

在本申请的一个实施方式中，阻挡层在衬底上的投影覆盖对准标记结构在衬底上的投影。

在本申请的一个实施方式中，堆叠结构包括多个介质层，阻挡层位于多个介质层中最远离衬底的介质层中。

在本申请的一个实施方式中，阻挡层包括金属层。

在本申请的一个实施方式中，晶圆为阵列晶圆。

在本申请的一个实施方式中，绝缘层包括氮化硅或掺杂碳化硅。

在本申请的一个实施方式中，键合层包括正硅酸乙酯。

根据本申请的一个方面，提供了一种晶圆组件，包括：第一晶圆，包括根据上述权利要求中任一项的晶圆；第二晶圆，包括键合层，并具有至少一个第二对准标记结构，其中，通过第一晶圆和第二晶圆的键合层，第一晶圆和第二晶圆相结合，并且第一晶圆的第一对准标记结构与第二晶圆的第二对准标记结构相互匹配。

在本申请的一个实施方式中，第二晶圆包括：第二衬底；第二堆叠结构，设置在第二衬底上，并且包括依次叠置的第二介质层和第二绝缘层；第二键合层，设置在第二堆叠结构的远离衬底的表面上，其中，在第二键合层的远离第二堆叠结构的表面上设置有至少一个第二对准标记结构。

在本申请的一个实施方式中，第二堆叠结构还包括设置在第二介质层中的第二阻挡层，其中，第二阻挡层在第二衬底上的投影覆盖第二对准标记结构在第二衬底上的投影。

在本申请的一个实施方式中，第二堆叠结构包括多个第二介质层，第二阻挡层位于多个第二介质层中最远离第二衬底的第二介质层中。

在本申请的一个实施方式中，第二阻挡层包括金属层。