[发明专利]晶圆、晶圆结构以及晶圆的制造方法

权利要求书

1.一种晶圆，其特征在于，包括：

衬底；

堆叠结构，设置在所述衬底上，并且包括依次叠置的介质层和绝缘层，其中，在所述堆叠结构中还设置有阻挡层；以及

键合层，设置在所述堆叠结构的远离所述衬底的表面上，其中，在所述表面设置有至少一个对准标记结构。

2.根据权利要求1所述的晶圆，其中，所述阻挡层在所述衬底上的投影覆盖所述对准标记结构在所述衬底上的投影。

3.根据权利要求1所述的晶圆，其中，所述堆叠结构包括多个所述介质层，所述阻挡层位于多个所述介质层中最远离所述衬底的介质层中。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的晶圆，其中，所述阻挡层包括金属层。

5.根据权利要求1所述的晶圆，其中，所述晶圆为阵列晶圆。

6.根据权利要求1所述的晶圆，其中，所述绝缘层包括氮化硅或掺杂碳化硅。

7.根据权利要求1所述的晶圆，其中，所述键合层包括正硅酸乙酯。

8.一种晶圆组件，其特征在于，包括：

第一晶圆，包括根据如权利要求1-7中任一项所述的晶圆；

第二晶圆，包括键合层，并具有至少一个第二对准标记结构，

其中，通过所述第一晶圆和所述第二晶圆的键合层，所述第一晶圆和所述第二晶圆相结合，并且所述第一晶圆的第一对准标记结构与所述第二晶圆的第二对准标记结构相互匹配。

9.根据权利要求8所述的晶圆组件，其中，所述第二晶圆包括：

第二衬底；

第二堆叠结构，设置在所述第二衬底上，并且包括依次叠置的第二介质层和第二绝缘层；

第二键合层，设置在所述第二堆叠结构的远离所述衬底的表面上，其中，在所述第二键合层的远离所述第二堆叠结构的表面设置有至少一个所述第二对准标记结构。

10.根据权利要求9所述的晶圆组件，其中，所述第二堆叠结构还包括设置在所述第二介质层中的第二阻挡层，其中，所述第二阻挡层在所述第二衬底上的投影覆盖所述第二对准标记结构在所述第二衬底上的投影。

11.根据权利要求10所述的晶圆组件，其中，所述第二堆叠结构包括多个所述第二介质层，所述第二阻挡层位于多个所述第二介质层中最远离所述第二衬底的第二介质层中。

12.根据权利要求10-11中任一项所述的晶圆组件，其中，所述第二阻挡层包括金属层。

13.根据权利要求9所述的晶圆组件，其中，所述第一晶圆为阵列晶圆。

14.根据权利要求9所述的晶圆组件，其中，所述第二晶圆为互补式金属氧化物半导体晶圆。

15.根据权利要求9所述的晶圆组件，其中，所述第二绝缘层包括氮化硅或掺杂碳化硅。

16.根据权利要求9所述的晶圆组件，其中，所述第二键合层包括正硅酸乙酯。

17.一种制造晶圆的方法，其特征在于，包括：

在衬底上形成堆叠结构的至少部分介质层；以及

在所形成的至少部分介质层的远离所述衬底的一侧上形成阻挡层。

18.根据权利要求17所述的方法，其中，在所形成的至少部分介质层的远离所述衬底的一侧上形成阻挡层的步骤包括：

在所形成的至少部分介质层的远离所述衬底的一侧上形成凹槽；

在所述凹槽中设置所述阻挡层。