[发明专利]散热背板、半导体结构及其制备方法

权利要求书

1.一种散热背板的制备方法，其特征在于，包括：

提供生长基板，于所述生长基板上形成碳纳米管层；

提供导热衬底，对所述导热衬底进行图形化处理，形成若干间隔排布的凸起结构；

将所述碳纳米管层中的部分碳纳米管转移至所述凸起结构的顶部，以于所述凸起结构的顶部形成碳纳米管簇；

提供背板，所述背板包括相对的第一表面和第二表面，于所述背板内形成通孔；以及

将所述导热衬底与所述背板键合，所述导热衬底位于所述背板的第二表面侧，所述凸起结构插入至所述通孔内，所述碳纳米管簇自所述通孔内延伸至所述背板的第一表面侧。

2.如权利要求1所述的散热背板的制备方法，其特征在于，于所述生长基板上形成碳纳米管层，包括：

于所述生长基板表面形成介质层；

于所述介质层表面形成催化层；

将所述生长基板放置于反应室中，并以第一预设流量向所述反应室内通入还原气体和惰性气体，当所述反应室内的温度达到工作温度后，将所述惰性气体的流量提升至第二预设流量，并以第三预设流量向所述反应室内通入反应气体；以及

控制反应时间，生成具有预设高度的所述碳纳米管层。

3.如权利要求2所述的散热背板的制备方法，其特征在于，所述还原气体包括氢气，所述惰性气体包括氩气，所述反应气体包括乙炔；所述第一预设流量包括20ml/min～70ml/min；所述第二预设流量包括1000ml/min～2500ml/min；所述第三预设流量包括100ml/min～300ml/min；所述工作温度包括60℃～800℃，所述反应时间包括10min～40min。

4.如权利要求1所述的散热背板的制备方法，其特征在于，所述将所述碳纳米管层中的部分碳纳米管转移至所述凸起结构的顶部，以于所述凸起结构的顶部形成碳纳米管簇，包括：

于所述凸起结构的顶部形成粘附层；

将所述生长基板与所述导热衬底键合，所述碳纳米管层与所述粘附层接触；以及

移除生长基板，与所述粘附层接触的部分所述碳纳米管粘附至所述凸起结构顶部，以形成所述碳纳米管簇。

5.如权利要求1所述的散热背板的制备方法，其特征在于，所述第一表面包括若干背板电极，所述背板电极包括第一电极和第二电极，所述通孔形成于所述第一电极和所述第二电极之间。

6.如权利要求1-5任一项所述的散热背板的制备方法，其特征在于，所述将所述背板的所述第二表面与所述导热衬底的表面相键合之前，还包括：

于所述导热衬底的表面形成黏附胶层；所述导热衬底经由所述黏附胶层与所述背板键合。

7.一种散热背板，其特征在于，包括：

背板，包括相对的第一表面和第二表面；所述背板内形成有通孔；

导热衬底，所述导热衬底包括凸起结构；所述导热衬底位于所述背板的第二表面侧；所述凸起结构插入至所述通孔内；以及

碳纳米管簇，位于所述凸起结构的顶部，且自所述通孔内延伸至所述背板的第一表面侧。

8.如权利要求7所述的散热背板，其特征在于，还包括：若干背板电极，位于所述第一表面；

所述背板电极包括第一电极和第二电极，所述通孔位于所述第一电极和所述第二电极之间。

9.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：

采用权利要求1-6中任一项所述的散热背板的制备方法制备所述散热背板；

提供芯片；以及

将所述芯片键合于所述背板远离所述导热衬底的一侧，所述芯片与所述碳纳米管簇相接触。

10.一种半导体结构，其特征在于，包括：

权利要求7或8所述的散热背板；以及

芯片，位于所述背板远离所述导热衬底的一侧，且与所述碳纳米管簇相接触。