[发明专利]TFT阵列基板及其制作方法

说明书

本发明提供一种TFT阵列基板及其制作方法，该TFT阵列基板包括：衬底基板；形成在所述衬底基板上的氧化物导电层，所述氧化物导电层包括遮光区和像素电极，所述遮光区由所述氧化物导电层通过不透明化处理形成；形成在所述衬底基板上且覆盖所述遮光区和所述像素电极的缓冲层；形成在所述缓冲层上的有源层，所述有源层对应位于所述遮光区上方；形成在所述缓冲层和所述有源层上的栅极绝缘层；形成在所述栅极绝缘层上的第一金属层，所述第一金属层包括栅极和扫描线，所述栅极对应位于所述有源层上方，所述栅极和所述扫描线相连。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种TFT阵列基板及其制作方法。

背景技术

随着科技的不断发展，显示技术也得到了快速的发展，薄膜晶体管TFT(Thin FilmTransistor)技术由原来的a-Si(非晶硅)薄膜晶体管发展到现在的LTPS(低温多晶硅)薄膜晶体管、Oxide(金属氧化物，一般为IGZO)薄膜晶体管等，金属氧化物TFT相较于低温多晶硅TFT和非晶硅TFT，具有高电子迁移率、高透光率、低漏电流、低沉积温度、制作工艺简单、大面积均匀性好、制造成本低等优点。

其中，金属氧化物TFT一般包括ESL(Etch Stop Layer，蚀刻阻挡层)型TFT和BCE(Back Channel Etch，背沟道蚀刻)型TFT，ESL型TFT和BCE型TFT由于其栅极和源漏极之间存在交叠区，故栅极和源漏极之间的寄生电容较大，导致TFT的开关速度受到限制，而自对准(self-aligned)顶栅型(top gate)TFT(即栅极位于有源层上方)的栅极和源漏极之间不存在交叠区，所以寄生电容很小。因此，金属氧化物TFT驱动的高阶(高分辨率、高刷新率)LCD和AMOLED(有源矩阵有机发光二极管)面板采用TGSA(top gate self-aligned))TFT架构更有技术优势。

同时，由于金属氧化物半导体具有光敏感性，所以TGSA TFT架构中需要在金属氧化物半导体层(即有源层)下方额外设置一层遮光层，以使金属氧化物半导体层不被光线照射，保持金属氧化物半导体层良好的光照稳定性，但制作遮光层需要额外增加一道制程(包括遮光层的沉积和光罩制程，即在制作遮光层时，先铺设一层遮光层薄膜，再通过光罩制程对遮光层薄膜进行蚀刻得到遮光层)，从而增加了工艺复杂性和生产成本。

发明内容

为了解决上述技术问题，本发明提出一种TFT阵列基板及其制作方法，通过将第一透明氧化物导电薄膜设置于有源层下方，并对部分第一透明氧化物导电薄膜进行不透明化处理形成遮光区，该遮光区对应位于有源层下方，能够为有源层起到良好的遮光效果，而且该遮光区在制作时无需额外光罩制程，节省了光罩及制造成本，降低了工艺复杂度。

本发明提供一种TFT阵列基板的制作方法，所述制作方法包括：

提供衬底基板；

在所述衬底基板上形成第一透明氧化物导电薄膜，所述第一透明氧化物导电薄膜用于形成氧化物导电层，所述氧化物导电层包括遮光区和像素电极；

在所述第一透明氧化物导电薄膜上涂布第一光阻，利用半色调掩膜对所述第一光阻进行曝光、显影，完全保留所述像素电极上方区域的第一光阻，部分保留所述遮光区上方区域的第一光阻，完全去除其它区域的第一光阻；

利用留下的第一光阻对所述第一透明氧化物导电薄膜进行蚀刻，去除所述遮光区和所述像素电极对应区域以外的第一透明氧化物导电薄膜；

对留下的第一光阻进行灰化处理，保留所述像素电极上方区域的第一光阻，完全去除其它区域的第一光阻，使对应于所述遮光区的第一透明氧化物导电薄膜暴露出来；

对所述暴露出来的第一透明氧化物导电薄膜进行不透明化处理，使所述暴露出来的第一透明氧化物导电薄膜形成所述遮光区，未暴露出来的所述第一透明氧化物导电薄膜形成所述像素电极；

去除所述第一光阻；