[发明专利]TFT阵列基板及其制作方法

权利要求书

1.一种TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：

提供衬底基板(11)；

在所述衬底基板(11)上形成第一透明氧化物导电薄膜(12)，所述第一透明氧化物导电薄膜(12)用于形成氧化物导电层，所述氧化物导电层包括遮光区(121)和像素电极(122)；

在所述第一透明氧化物导电薄膜(12)上涂布第一光阻(2)，利用半色调掩膜(3)对所述第一光阻(2)进行曝光、显影，完全保留所述像素电极(122)上方区域的第一光阻(2)，部分保留所述遮光区(121)上方区域的第一光阻(2)，完全去除其它区域的第一光阻(2)；

利用留下的第一光阻(2)对所述第一透明氧化物导电薄膜(12)进行蚀刻，去除所述遮光区(121)和所述像素电极(122)对应区域以外的第一透明氧化物导电薄膜(12)；

对留下的第一光阻(2)进行灰化处理，保留所述像素电极(122)上方区域的第一光阻(2)，完全去除其它区域的第一光阻(2)，使对应于所述遮光区(121)的第一透明氧化物导电薄膜(12)暴露出来；

对所述暴露出来的第一透明氧化物导电薄膜(12)进行不透明化处理，使所述暴露出来的第一透明氧化物导电薄膜(12)形成所述遮光区(121)，未暴露出来的所述第一透明氧化物导电薄膜(12)形成所述像素电极(122)；

去除所述第一光阻(2)；

在所述衬底基板(11)上形成覆盖所述遮光区(121)和所述像素电极(122)的缓冲层(13)；

在所述缓冲层(13)上形成金属氧化物半导体层，对所述金属氧化物半导体层进行蚀刻制作有源层(14)，所述有源层(14)对应位于所述遮光区(121)上方。

2.如权利要求1所述的TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，还包括：

在所述缓冲层(13)上形成覆盖所述有源层(14)的栅极绝缘层薄膜(15)，在所述栅极绝缘层薄膜(15)上形成第一金属薄膜(16)，对所述第一金属薄膜(16)进行蚀刻制作第一金属层，所述第一金属层包括栅极(161)和扫描线(162)，对所述栅极绝缘层薄膜(15)进行蚀刻制作栅极绝缘层(151)；其中所述栅极(161)对应位于所述有源层(14)上方，所述栅极(161)和所述扫描线(162)相连。

3.如权利要求2所述的TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，对所述第一金属薄膜(16)进行蚀刻制作所述第一金属层，对所述栅极绝缘层薄膜(15)进行蚀刻制作所述栅极绝缘层(151)，具体包括：

在所述第一金属薄膜(16)上涂布第二光阻(4)，利用掩膜对所述第二光阻(4)进行曝光、显影，利用留下的第二光阻(4)对所述第一金属薄膜(16)进行蚀刻制作所述第一金属层，继续利用留下的第二光阻(4)对所述栅极绝缘层薄膜(15)进行蚀刻制作所述栅极绝缘层(151)；

去除所述第二光阻(4)。

4.如权利要求2所述的TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，在对所述第一金属薄膜(16)进行蚀刻制作所述第一金属层之后，还包括：

对所述有源层(14)进行离子注入。

5.如权利要求2所述的TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，还包括：

在所述缓冲层(13)上形成覆盖所述有源层(14)、所述栅极绝缘层(151)、所述栅极(161)和所述扫描线(162)的层间介质层(17)；

对所述有源层(14)的上方区域通过蚀刻形成第一通孔(171)和第二通孔(172)，对所述像素电极(122)的上方区域通过蚀刻形成第三通孔(173)，在所述层间介质层(17)上形成第二金属薄膜，对所述第二金属薄膜进行蚀刻制作第二金属层(18)，所述第二金属层(18)包括源极(181)、漏极(182)和数据线(183)，所述源极(181)填入所述第一通孔(171)内并与所述有源层(14)连接，且所述源极(181)与所述数据线(183)连接，所述漏极(182)填入所述第二通孔(172)内并与所述有源层(14)连接，所述漏极(182)还填入所述第三通孔(173)内并与所述像素电极(122)连接，所述源极(181)和所述漏极(182)分别位于所述栅极(161)的两侧。