[发明专利]三相全桥封装芯片

说明书

本发明实施例公开了一种三相全桥封装芯片。其包括基底、三个第一功率晶粒和三个第二功率晶粒；三个第一功率晶粒构成三相全桥的上桥臂，三个第二功率晶粒构成三相全桥的下桥臂；基底包括第一基岛区、第二基岛区和拉筋区；拉筋区围绕第一基岛区、以及围绕第二基岛区；三个第一功率晶粒均设置于第一基岛区，每一第二功率晶粒设置于每一第二基岛区；三个第一功率晶粒分别对应与一个第二功率晶粒连接。本方案设计的三相全桥封装芯片可以减小全桥的功率模块的设计体积，利用基底设计固定承载第一功率晶粒和第二功率晶粒的线路框架替代部分全桥的功率模块的连接线路，简化了全桥的功率模块的线路连接，实现高度集成的三相全桥封装芯片的封装设计。

技术领域

本发明实施例涉及芯片封装技术领域，尤其涉及一种三相全桥封装芯片。

背景技术

目前全桥的金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-SemiconductorField-Effect Transistor,MOSFET)功率模块，均是采用6个MOSFET单管或3个半桥封装的MOSFET单管(每一MOSFET单管内部封装有2个MOSFET晶粒)在水泵或电机控制板上进行组合，实现产生三相工作电压应用于泵或电机。通过采用6个MOSFET单管或3个半桥封装的MOSFET单管进行组合的功率模块不仅需要对各个MOSFET单管固定在水泵或电机控制板上，还需要对各个MOSFET单管进行线路连接，在该过程中会导致全桥的金属氧化物半导体场效应晶体管功率模块体积过大，集成度低并且线路复杂。

发明内容

本发明实施例提供一种三相全桥封装芯片，以减小全桥的功率模块设计体积，简化全桥的功率模块线路连接，实现高度集成的三相全桥封装芯片。

第一方面，本发明实施例提供了一种三相全桥封装芯片，其包括基底、三个第一功率晶粒和三个第二功率晶粒；三个第一功率晶粒构成三相全桥的上桥臂，三个第二功率晶粒构成三相全桥的下桥臂；

基底包括第一基岛区、第二基岛区和拉筋区；拉筋区围绕第一基岛区、以及围绕第二基岛区；三个第一功率晶粒均设置于第一基岛区，每一第二功率晶粒设置于每一第二基岛区；三个第一功率晶粒分别对应与一个第二功率晶粒连接。

可选地，一个第一功率晶粒和一个第二功率晶粒构成三相全桥的一个桥臂；第一功率晶粒和第二功率晶粒均包括第一极、第二极和栅极；

第一功率晶粒的第一极与电源连接，第一功率晶粒和第二功率晶粒的栅极均接入控制信号，第一功率晶粒的第二极与第二功率晶粒的第一极连接，第二功率晶粒的第二极接地。

可选地，第一基岛区包括首尾相连的第一边缘、第二边缘、第三边缘和第四边缘，第二基岛区包括首尾相连的第五边缘、第六边缘、第七边缘和第八边缘；第一边缘与第七边缘平行且相邻设置；

拉筋区包括第一图案化结构、第二图案化结构以及第三图案化结构；

第一图案化结构设置于第一基岛区的第三边缘的外侧；第二图案化结构置于第一边缘和第七边缘之间；第三图案化结构设置于第二边缘的外侧，或者第三图案化结构设置于第四边缘的外侧。

可选地，第一图案化结构远离第三边缘的一侧设置有第一凹陷区；

三相全桥封装芯片还包括第一焊盘，第一焊盘设置于第一凹陷区内。

可选地，三个第二基岛区相邻设置；

拉筋区还包括第四图案化结构、第五图案化结构以及第六图案化结构；

第四图案化结构的一部分设置于相邻的第二基岛区的第六边缘和第八边缘之间，第四图案化结构的另一部分设置于处于外侧的第二基岛区的第七边缘和第二图案化结构之间；第五图案化结构设置于第二基岛区的第五边缘的外侧；第六图案化结构设置于处于外侧的第二基岛区的第六边缘的外侧，或者第六图案化结构设置于处于外侧的第二基岛区的第八边缘的外侧。