[发明专利]三相全桥封装芯片

权利要求书

1.一种三相全桥封装芯片，其特征在于，包括基底、三个第一功率晶粒和三个第二功率晶粒；所述三个第一功率晶粒构成所述三相全桥的上桥臂，所述三个第二功率晶粒构成所述三相全桥的下桥臂；

所述基底包括第一基岛区、第二基岛区和拉筋区；所述拉筋区围绕所述第一基岛区、以及围绕所述第二基岛区；三个所述第一功率晶粒均设置于所述第一基岛区，每一所述第二功率晶粒设置于每一所述第二基岛区；三个所述第一功率晶粒分别对应与一个所述第二功率晶粒连接。

2.根据权利要求1所述的三相全桥封装芯片，其特征在于，一个所述第一功率晶粒和一个所述第二功率晶粒构成所述三相全桥的一个桥臂；所述第一功率晶粒和所述第二功率晶粒均包括第一极、第二极和栅极；

所述第一功率晶粒的第一极与电源连接，所述第一功率晶粒和所述第二功率晶粒的栅极均接入控制信号，所述第一功率晶粒的第二极与所述第二功率晶粒的第一极连接，所述第二功率晶粒的第二极接地。

3.根据权利要求1所述的三相全桥封装芯片，其特征在于，所述第一基岛区包括首尾相连的第一边缘、第二边缘、第三边缘和第四边缘，所述第二基岛区包括首尾相连的第五边缘、第六边缘、第七边缘和第八边缘；所述第一边缘与所述第七边缘平行且相邻设置；

所述拉筋区包括第一图案化结构、第二图案化结构以及第三图案化结构；

所述第一图案化结构设置于所述第一基岛区的第三边缘的外侧；所述第二图案化结构置于所述第一边缘和所述第七边缘之间；所述第三图案化结构设置于所述第二边缘的外侧，或者所述第三图案化结构设置于所述第四边缘的外侧。

4.根据权利要求3所述的三相全桥封装芯片，其特征在于，所述第一图案化结构远离所述第三边缘的一侧设置有第一凹陷区；

所述三相全桥封装芯片还包括第一焊盘，所述第一焊盘设置于所述第一凹陷区内。

5.根据权利要求4所述的三相全桥封装芯片，其特征在于，三个所述第二基岛区相邻设置；

所述拉筋区还包括第四图案化结构、第五图案化结构以及第六图案化结构；

所述第四图案化结构的一部分设置于相邻的所述第二基岛区的第六边缘和第八边缘之间，所述第四图案化结构的另一部分设置于处于外侧的所述第二基岛区的第七边缘和所述第二图案化结构之间；所述第五图案化结构设置于所述第二基岛区的第五边缘的外侧；所述第六图案化结构设置于处于外侧的所述第二基岛区的第六边缘的外侧，或者所述第六图案化结构设置于处于外侧的所述第二基岛区的第八边缘的外侧。

6.根据权利要求5所述的三相全桥封装芯片，其特征在于，所述第五图案化结构远离所述第五边缘的一侧设置有第二凹陷区；

所述三相全桥封装芯片还包括第二焊盘和第三焊盘，所述第二焊盘和第三焊盘设置于所述第二凹陷区内。

7.根据权利要求6所述的三相全桥封装芯片，其特征在于，一个所述第一功率晶粒和一个所述第二功率晶粒构成所述三相全桥的一个桥臂；所述第一功率晶粒和所述第二功率晶粒均包括第一极、第二极和栅极；

所述第一功率晶粒的第一极与第一基岛区连接，所述第一功率晶粒的栅极与一所述第一焊盘连接，所述第一功率晶粒的第二极与一所述第二基岛区连接，所述第二功率晶粒的第一极与所述第二基岛区连接，所述第二功率晶粒的第二极与一所述第二焊盘连接，所述第二功率晶粒的栅极与一所述第三焊盘连接；所述第一基岛区与电源连接，所述第一焊盘和所述第三焊盘与控制信号接口连接，所述第二焊盘接地。

8.根据权利要求6所述的三相全桥封装芯片，其特征在于，还包括封装层；

所述封装层封装所述基底上除所述第一基岛区、所述第二基岛区、所述第一焊盘、所述第二焊盘以及所述第三焊盘的所有部分。