[发明专利]一种基于共振腔发光二极管的微图形光源有效
| 申请号： | 202110998901.4 | 申请日： | 2021-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN113937195B | 公开（公告）日： | 2023-07-14 |
| 发明（设计）人： | 李建军;张振东 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | H01L33/10 | 分类号： | H01L33/10;H01L33/14 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 刘萍 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 共振 发光二极管 图形 光源 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于共振腔发光二极管的微图形光源，其特征在于：通过微加工工艺将微图形光源直接制作在共振腔发光二极管芯片表面，并且构成微图形光源图案的线条范围在5到30微米之间；
从垂直剖面来看包括上电极，介质隔离层，上布拉格反射镜，谐振腔，下布拉格反射镜，N型衬底，下电极；位于谐振腔上方的侧向氧化层，谐振腔(220)中含有光辐射有源区；上布拉格反射镜由厚度各为1/4出射光波长的低折射率材料层和高折射率材料层交替组成；下布拉格反射镜由厚度各为1/4出射光波长的低折射率材料层和高折射率材料层交替组成；
通过光刻以及ICP刻蚀工艺在外延片上布拉格反射镜上光刻出所要的图案， 通过湿法氧化氧化2-4微米，通过PECVD工艺淀积300-400nm的二氧化硅薄膜形成介质隔离层，由于介质隔离层的存在仅图案发光区有电流注入。
2.根据权利要求1所述的一种基于共振腔发光二极管的微图形光源，其特征在于：上布拉格反射镜的中心反射波长，下布拉格反射镜的中心反射波长，谐振腔的谐振波长，以及有源区的辐射峰值波长相同。
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