[发明专利]阵列基板及其制作方法

说明书

本发明提供一种阵列基板及其制作方法，该阵列基板包括：衬底基板；形成在所述衬底基板上的第一金属层，所述第一金属层包括栅极和扫描线，所述栅极与所述扫描线连接；形成在所述衬底基板上且覆盖所述第一金属层的栅极绝缘层；形成在所述栅极绝缘层上的第二金属层，所述第二金属层包括源极和数据线，所述源极与所述数据线相连，所述源极与所述栅极在所述阵列基板的投影上对齐或部分重叠；形成在所述栅极绝缘层上的金属氧化物半导体层，所述金属氧化物半导体层包括像素电极和有源层，所述像素电极经过导体化处理，所述像素电极与所述有源层连接，所述有源层与所述源极连接，且所述有源层对应位于所述源极和所述栅极上方。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种阵列基板及其制作方法。

背景技术

随着科技的不断发展，显示技术也得到了快速的发展，薄膜晶体管TFT(Thin FilmTransistor)技术由原来的a-Si(非晶硅)薄膜晶体管发展到现在的LTPS(低温多晶硅)薄膜晶体管、Oxide(金属氧化物)薄膜晶体管等，金属氧化物TFT相较于低温多晶硅TFT和非晶硅TFT，具有高电子迁移率、高透光率、低漏电流、低沉积温度、制作工艺简单、大面积均匀性好、制造成本低等优点。其中，金属氧化物TFT一般包括ESL(Etch Stop Layer，蚀刻阻挡层)型TFT和BCE(Back Channel Etch，背沟道蚀刻)型TFT。

如图1所示的现有技术中BCE型阵列基板的截面示意图以及图2所示的ESL型阵列基板的截面示意图，BCE型阵列基板和ESL型阵列基板均包括衬底基板41、栅极42、栅极绝缘层43、有源层44(有源层44的材质为金属氧化物，一般为IGZO)、源极461、漏极462和钝化层47。同时，ESL型阵列基板相较于BCE型阵列基板在有源层44上方多增加了一层蚀刻阻挡层45，蚀刻阻挡层45能够对有源层44进行保护，以防止有源层44背沟道刻蚀损伤。

由于BCE型TFT在对源极461和漏极462进行背沟道蚀刻时会损伤有源层44，所以目前的金属氧化物TFT一般采用ESL型TFT，以避免背沟道的过蚀刻。但是ESL型TFT在制作蚀刻阻挡层45时需要增加一道光罩刻蚀制程，故增加了光罩使用数量，使得制造成本增加，同时制造流程也较为复杂，导致生产良率降低。同时，目前大多数的阵列基板的制作工艺，其使用的光罩数量都在六道以上，这极大地增加了制造成本。

发明内容

为了解决上述技术问题，本发明提出一种阵列基板及其制作方法，该阵列基板只利用一道光罩制程就制作形成像素电极和有源层，节省了光罩及制造成本，降低了工艺复杂度，提高了生产良率；同时，像素电极和有源层为一体结构，不仅使像素电极和有源层之间的连接导通性能更好，而且增大了开口率，使得阵列基板的透光率增加。

本发明提供一种阵列基板的制作方法，所述制作方法包括：

提供衬底基板；

在所述衬底基板上形成第一金属薄膜，对所述第一金属薄膜进行蚀刻制作第一金属层，所述第一金属层包括栅极和扫描线，所述栅极与所述扫描线连接；

在所述衬底基板上形成覆盖所述第一金属层的栅极绝缘层；

在所述栅极绝缘层上形成第二金属薄膜，对所述第二金属薄膜进行蚀刻制作第二金属层，所述第二金属层包括源极和数据线，所述源极与所述数据线相连，所述源极与所述栅极在所述阵列基板的投影上对齐或部分重叠；

在所述栅极绝缘层上形成覆盖所述第二金属层的金属氧化物半导体薄膜，对所述金属氧化物半导体薄膜进行蚀刻制作金属氧化物半导体层，所述金属氧化物半导体层与所述源极相连，所述金属氧化物半导体层用于形成像素电极和有源层；

在所述金属氧化物半导体层和所述栅极绝缘层上涂布光阻，以所述第一金属层和所述第二金属层为遮罩对所述光阻进行曝光、显影，保留所述第一金属层和所述第二金属层上方区域的光阻，去除其它区域的光阻，使对应于所述第一金属层和所述第二金属层区域以外的金属氧化物半导体层暴露出来；